電流検出型原子間力顕微鏡法を用いた極薄ゲート絶縁膜の信頼性評価(ナノテクノロジー時代の故障解析技術と解析ツール)
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概要
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超大規模集積回路(Ultra-Large Scale Integration Circuit: ULSI)の高集積化に伴うゲート絶縁膜の薄膜化によって,極薄ゲート絶縁膜の寿命予測と信頼性向上が重要課題となっている.絶縁劣化や絶縁破壊等の信頼性低下要因は,原子レベルでの構造欠陥や膜組成の揺らぎ等に起因することから,その解明には従来のデバイスによる信頼性評価だけでなく,微視的な物性評価が有効となる.近年,局所的にゲート絶縁膜を評価する新しい技術として,電流検出型原子間力顕微鏡法(Conductive Atomic Force Microscopy: C-AFM)が注目されている.C-AFMは絶縁膜のリーク電流分布をナノスケールで観察可能であり,捕獲電荷の空間分布や絶縁破壊過程,更には膜物性の揺らぎ等の評価に威力を発揮する.本稿ではゲートSiO_2膜および,次世代high-kゲート絶縁膜におけるC-AFMを用いた最新のゲート絶縁膜評価について紹介する.
- 日本信頼性学会の論文
- 2006-05-01
著者
-
酒井 朗
名古屋大学工学研究科
-
財満 鎭明
名古屋大学大学院工学研究科
-
酒井 朗
大阪大学
-
酒井 朗
名古屋大学
-
世古 明義
名古屋大学
-
坂下 満男
名古屋大学大学院工学研究科
-
坂下 満男
名古屋大学大学院光学研究科
-
財満 鎭明
名古屋大学先端技術共同研究センター
-
財満 鎭明
名古屋大学
-
財満 鎭明
名古屋大学大学院 工学研究科
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