財満 鎭明 | 名古屋大学

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概要

• 同名の論文著者
• 名古屋大学の論文著者

関連著者

• 財満 鎭明

  名古屋大学大学院工学研究科

• 中塚 理

  名古屋大学

• 酒井 朗

  大阪大学

• 安田 幸夫

  名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所

• 酒井 朗

  名古屋大学工学研究科

• 安田 幸夫

  名古屋大学工学部

• 酒井 朗

  名古屋大学

• 近藤 博基

  名古屋大学大学院工学研究科

• 坂下 満男

  名古屋大学大学院工学研究科

• Kondo H

  Department Of Biochemical Engineering And Science Kyushu Institute Of Technology

• 小川 正毅

  名古屋大学

• 加藤 公彦

  名古屋大学大学院工学研究科

• 世古 明義

  名古屋大学

• 木下 恭一

  宇宙航空研究開発機構

• 依田 眞一

  宇宙航空研究開発機構

• 依田 眞一

  (独)宇宙航空研究開発機構

• 木下 恭一

  宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部iss科学プロジェクト室

• 酒井 朗

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 渡辺 行彦

  豊田中央研究所

• 酒井 朗

  名大院工

• 櫻庭 政夫

  東北大通研

• 財満 鎭明

  名古屋大学助教授;工学部結晶材料工学専攻

• 阿山 みよし

  宇都宮大学大学院工学研究科

• 田中 秀和

  阪大産研

• 美馬 宏司

  大阪市立大学

• 大沢 通夫

  富士電機アドバンストテクノロジー(株)

• 小池 洋二

  東北大工

• 知京 豊裕

  物材機構

• 秋永 広幸

  産総研ナノ機能合成プロ

• 山崎 順

  名大エコトピア研

• 山下 学

  日立製作所 デバイス開発センター

• 杉江 尚

  名大・院工

• 安藤 康夫

  東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻

• 宮崎 照宣

  東北大学原子分子材料科学高等研究機構(WPI)

• 吉田 隆

  名大工

• 斗内 政吉

  阪大超伝導フォトニクス

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構

• 安藤 康夫

  東北大工

• 大坂 次郎

  Nttフォトニクス研究所

• 竹田 美和

  名大工

• 堀 勝

  名古屋大学

• 大島 義文

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 向田 昌志

  山形大学工学部

• 川瀬 晃道

  理化学研究所

• 川瀬 晃道

  理研

• 草野 英二

  金沢工業大学

• 尾崎 雅則

  阪大院・工

• 尾崎 雅則

  阪大・工

• 井口 征夫

  川崎製鉄(株)技術研究所

• 鈴木 一弘

  川崎製鉄(株)技術研究所

• 吉越 章隆

  日本原子力研究所・関西研究所・放射光科学研究センター

• 和田 隆博

  龍谷大理工

• 田中 虔一

  埼玉工業大学大学院工学研究科

• 水谷 五郎

  北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科

• 木村 英樹

  東海大学

• 松木 武雄

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 木村 康男

  東北大学電気通信研究所

• 庭野 道夫

  東北大学電気通信研究所

• 山本 公

  アルバック・ファイ(株)

• 秋永 広幸

  産総研

• 田中 信夫

  名古屋大学

• 麻蒔 立男

  東京理科大学・工学部

• 永井 稔

  北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科

• 富取 正彦

  北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科

• 笠原 章

  金属材料技術研究所

• 吉原 一紘

  金属材料技術研究所

• 加藤 公彦

  名古屋大学総合保健体育科学センター

• 石川 順三

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻

• 毛塚 博史

  東京工科大

• 三木 一司

  物材機構

• 荒木 康弘

  静大電子研

• 角嶋 邦之

  東工大総理工

• 岩井 洋

  東工大フロンティア研

• 北島 正弘

  金属材料技術研究所

• 勝山 俊夫

  東大生研ナノエレ連携研

• 八井 浄

  長岡技術科学大学極限エネルギー密度工学研究センター

• 進藤 春雄

  東海大

• 田村 收

  産総研

• 伊藤 雅英

  筑波大

• 馬場 俊彦

  横国大

• 藤田 安彦

  都立工業高専

• 小笠原 宗博

  東芝研開セ

• 筒井 哲夫

  九大院総理工

• 小川 真一

  松下電器半導体社

• 粟野 祐二

  富士通研

• 藤田 静雄

  京大国際融合創造セ

• 脇坂 健一郎

  三洋電機

• 佐藤 芳之

  NTT-AT

• 白井 肇

  埼玉大

• 林 康明

  京都工繊大工芸

• 岡本 隆之

  理研

• 梶川 浩太郎

  東工大

• 財満 鎭明

  名大

• 影島 愽之

  NTT物性科学基礎研究所

• 鳥海 明

  東大

• 金田 千穂子

  富士通研

• 川田 善正

  静岡大

• 山本 哲也

  高知工大

• 中川 清和

  山梨大工

• 梶川 靖友

  島根大総理工

• 竹田 美和

  名大院工

• 小田中 紳二

  阪大

• 田中 三郎

  豊橋技大

• 王 鎮

  情報通信研究機構

• 芝山 敦史

  ニコン

• 佐波 俊哉

  KEK

• 栖原 敏明

  阪大

• 宮崎 照宣

  東北大院工

• 安藤 康夫

  東北大院工

• 松本 仁

  防衛大材料

• 鵜殿 治彦

  茨城大工

• 末益 崇

  筑波大物理工

• 鈴木 恒則

  東海大理

• 喜岡 俊英

  東理大工

• 福井 孝志

  北大量集センタ

• 高橋 庸夫

  NTT物性基礎研

• 岡田 勝行

  物材機構

• 尾松 孝茂

  千葉大

• 栗村 直

  物材機構

• 松尾 二郎

  京大

• 藤原 巧

  長岡技科大

• 白谷 正治

  九大院システム情報

• 白石 賢二

  筑波大院数物

• 加地 博子

  岡山理科大学工学部

• 中村 友二

  富士通研究所

• 吉森 昭夫

  岡山理科大学

• 土佐 正弘

  金属材料技術研究所

• 山本 節夫

  山口大学工学部

• 栗巣 普揮

  山口大学工学部

• 松浦 満

  山口大学工学部

• 向田 昌志

  山形大

• 三木 一司

  電総研

• 久松 広美

  高エネルギー加速器研究機構

• 金澤 健一

  高エネルギー加速器研究機構

• 末次 祐介

  高エネルギー加速器研究機構

• 嶋本 真幸

  高エネルギー加速器研究機構

• 白井 満

  高エネルギー加速器研究機構

• 西脇 みちる

  総合研究大学院大学数物科学研究科

• 佐藤 政行

  高エネルギー加速器研究機構

• 山本 顕弘

  総合研究大学院大学数物科学研究科

• 竹内 孝江

  奈良女子大学

• 木内 正人

  大阪工業技術研究所

• 美本 和彦

  大阪大学大学院工学研究科超高温理工学研究施設

• 松本 貴士

  大阪大学大学院工学研究科超高温理工学研究施設

• 中山 恒義

  北大院工

• 魯 大凌

  東京工業大学資源化学研究所, CREST

• 戸坂 亜希

  学習院大学理学部

• 五十嵐 慎一

  学習院大学理学部

• 平山 孝人

  学習院大学理学部

• 井口 大介

  学習院大学理学部

• 岩井 洋

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 知京 豊裕

  金属材料技術研究所

• 尾崎 雅則

  大阪大学

• 金田 千穂子

  富士通研究所

• 宮崎 照宣

  東北大工

• 林 康明

  京都工芸繊維大学大学院

• 和佐 清孝

  横浜市立大学理学部

• 麻蒔 立男

  東京理科大学工学部・電気工学科

• 松尾 二郎

  京都大学工学研究科附属量子理工学研究実験センター

• 鈴木 恒則

  東京工科大学

• 菊地 直人

  金沢工業大学AMS R&D C

• 福島 和宏

  金沢工業大学 AMS R&D C

• 池田 佳広

  金沢工業大学AMS R & D C

• 彩木 傑

  金沢工業大学AMS R & D C

• 藤田 安彦

  東京都立産業技術高等専門学校

• 佐野 睦

  日本原子力研究所

• 山本 哲也

  東京都立産業技術高等専門学校

• 板倉 明子

  金属材料技術研究所

• 市川 昌和

  アトムテクノロジー研究体

• 栗村 直

  独立行政法人物質・材料研究機構光材料センター

• 佐藤 弘子

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻

• 中川 行人

  アネルバ株式会社装置事業部第一製品技術グループ

• 知京 豊裕

  物質材料機構

• 堀 勝

  名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻

• 阿山 みよし

  宇都宮大学・院・工

• 高橋 庸夫

  北大

• 関川 健太郎

  埼玉大学

• 高橋 善和

  日本真空技術株式会社筑波超材料研究所

• 南戸 秀仁

  金沢工業大学

• 沖村 邦雄

  東海大学工学部電子工学科

• 本間 芳和

  Ntt物性基礎研

• 浅野 清光

  秋田高専

• 田中 三郎

  豊橋技術科学大学

• 松尾 二郎

  京大院工

• 鳥海 明

  東大・物工

• 鳥海 明

  東大院工

• 小川 倉一

  大阪府立産業技術総合研究所

• 白井 肇

  埼玉大学大学院 理工学研究科 機能材料工学専攻

• 川田 善正

  静岡大学 工学部

• 鬼頭 伸幸

  名古屋大学大学院工学研究科

• 尾松 孝茂

  千葉大学大学院自然科学研究科

• 尾松 孝茂

  千葉大学

• 棚橋 克人

  大阪府立大学先端科学研究所

• 小林 信一

  埼玉大学

• 安達 俊

  学習院大学理学部

• 見附 孝一郎

  分子科学研究所

• 関 孝男

  学習院大学理学部

• 阿部 彰雄

  学習院大学理学部

• 栗山 大人

  学習院大学理学部

• 日置 亜也子

  大阪府立産業技術総合研究所

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著作論文

• MOCVD法によるPr酸化膜の作製およびその電気的特性評価(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Pr(EtCp)_3を用いた原子層堆積法によるPr酸化膜の形成(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 第51回応用物理学関係連合講演会(2004年)
• 原子層堆積法により形成したPrAlOの結晶構造および電気的特性(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• La_2O_3-Al_2O_3複合膜における定電圧ストレス印加時の局所的な電荷捕獲とその放出過程(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 電流検出型原子間力顕微鏡法を用いた極薄ゲート絶縁膜の信頼性評価(ナノテクノロジー時代の故障解析技術と解析ツール)
• 電流検出型原子間力顕微鏡を用いたLa_2O_3-Al_2O_3複合膜の局所リーク電流評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• 電子注入ストレスを加えたゲート酸化膜の電流検出型原子間力顕微鏡による解析(電子材料)
• 電流検出型原子間力顕微鏡を用いたゲート絶縁膜の局所リーク電流評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 電子注入ストレスを加えたゲート酸化膜の電流検出型原子間力顕微鏡による解析 : ゲート絶縁膜劣化機構の微視的評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Ge_Sn_xバッファ層上への伸張歪Ge層形成と歪・転位構造制御
• シリコン表面の窒化初期過程とエネルギーバンドギャップの形成
• CS-5-2 Si_Ge_X/Si(001)構造における転位および歪の評価と制御技術(CS-5.異種材料融合デバイス技術,シンポジウム)
• Ge基板上へのPr酸化膜の作製と評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• 仮想Ge基板上におけるGe_Sn_xバッファ層の歪および転位構造制御
• SOI基板上歪緩和SiGeバッファ層の転位構造とモザイシティ
• 次世代シリコンULSIに向けたIV族系半導体ヘテロ界面のひずみと転位の制御技術と評価
• Si_Ge_xバッファ層の歪緩和および転位構造制御(Buffer層を中心としたエピタキシーの新展開)
• ラジカル窒化過程におけるエネルギーバンドギャップ形成機構のSTM/STS解析(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 22pXB-10 HRTEM, EELS, EDX を用いた Ni/Si 界面反応への添加元素の影響とナノ構造の研究
• 特別記事 SiGe技術の最新研究動向
• ラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造制御(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• LaAlO/Ge構造へのALD-Al_2O_3界面制御層挿入の効果(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Ge表面酸化および窒化処理と High-k ゲートスタック構造形成プロセス
• 超高密度・極微細シリコンナノドットの形成技術とメモリ特性 (特集1 次世代不揮発メモリーの開発・高集積化とその市場)
• シリコンナノテクノロジー(ナノテクノロジー)
• パルスレーザー蒸着法による高誘電率薄膜の作製と電気的特性
• 中エネルギ-イオン散乱法を用いたシリサイド/シリコン界面の構造解析
• 特集号編集にあたって
• ヘテロエピタキシャル成長における歪緩和と貫通転位の低減 : Si(001)基板上の高品質Si_Ge_x歪緩和層の成長(バルク成長分科会特集 : 結晶成長の科学と技術)
• 超微細化に向けたULSI薄膜技術
• 金属/半導体界面反応の STEM による原子直視観察
• 総合報告 シリコンLSI新材料技術の現状と課題--フロントエンドプロセス
• 固相エピタキシー法によるSi(111)表面上のGe3次元島のコースニング過程 : エピタキシャル成長IV
• シリコン表面の初期酸化と水素
• 集束イオンビームを用いたナノチャネルMOSFETの作製とクーロンブロッケード現象
• 集束イオンビームを用いたナノチャネルMOSFETの作製とクーロンブロッケード現象
• 水素終端シリコン表面の酸化と水素の役割
• シリコン酸化膜の局所構造緩和過程の研究
• 水素終端シリコン(100)表面の酸化初期過程
• Si表面上のエピタキシャルシリサイドの熱的挙動
• 水素終端シリコン表面の初期酸化過程と局所構造
• シリサイド化反応とコンタクト特性
• サマリー・アブストラクト
• 次世代ULSIに向けた固相拡散法を用いたSi1-x-yGe[x]Sn[y] on Insulator構造の形成
• Pr(EtCp)_3を用いた原子層成長法によるPr酸化膜の作製とその電気的特性
• ドーピングによるシリサイドの仕事関数の変調 : シリサイドの物理に基づく理論(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 金属/シリコン界面におけるシリサイド形成と低抵抗コンタクト
• Al_2O_3/Ge構造に対する酸素熱処理の界面特性に及ぼす効果(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Pr酸化膜/Ge構造におけるPrの価数制御に基づく界面反応制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• リサーチ・ナビ 特定領域研究 シリコンナノエレクトロニクスの新展開--ポストスケーリングテクノロジー
• ポストスケーリング技術の現状と期待される新展開
• Wafer-on-wafer構造における貫通Si電極周辺の局所歪の評価(配線・実装技術と関連材料技術)
• SiGe基板上へのひずみGeエピタキシャル層成長と結晶物性評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• SiGe基板上へのひずみGeエピタキシャル層成長と結晶物性評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• SiGe基板上へのひずみGeエピタキシャル層成長と結晶物性評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOCVD法によるPr酸化膜の作製およびその電気的特性評価
• ゲート電極の還元性がGe基板上Pr酸化膜のPr価数に与える影響(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Al_2O_3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• テトラエトキシゲルマニウムによる極薄GeO_2膜の形成(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Al_2O_3/Ge構造における酸化機構の解明と界面反応がその特性に及ぼす影響(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 酸化剤分圧およびSi拡散の制御によるPr酸化膜結晶構造制御(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Wafer-on-wafer 構造における貫通Si電極周辺の局所歪の評価
• SiGe基板上へのひずみGeエピタキシャル層成長と結晶物性評価
• SiGe基板上へのひずみGeエピタキシャル層成長と結晶物性評価
• ゲート電極の還元性がGe基板上Pr酸化膜のPr価数に与える影響
• Al_2O_3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明

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