中村 友二 | 富士通研究所
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概要
関連著者
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中村 友二
富士通研究所
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中村 友二
(株)富士通研究所
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大場 隆之
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
-
水島 賢子
富士通研究所
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北田 秀樹
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
-
北田 秀樹
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
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鈴木 貴志
富士通研究所
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水島 賢子
株式会社富士通研究所
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水島 賢子
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
-
中村 友二
株式会社富士通研究所集積材料研究部
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前田 展秀
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
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藤本 興治
大日本印刷株式会社
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前田 展秀
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
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藤本 興冶
東京大学工学系研究科
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中田 義弘
富士通研究所
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池田 和人
富士通研究所
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池田 和人
(株)富士通研究所
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川合 章仁
(株)ディスコ
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荒井 一尚
(株)ディスコ
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鈴木 浩助
大日本印刷株式会社
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金 永〓
東京大学工学系研究科
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中田 義弘
株式会社富士通研究所
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鈴木 貴志
株式会社 富士通研究所
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藤本 興治
大日本印刷
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小林 靖志
富士通研究所
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大場 隆之
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
-
金 永〓
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
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宮嶋 基守
富士通(株)
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河野 隆宏
富士通(株)
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佐藤 尚
名工大
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杉井 寿博
富士通研究所
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大場 隆之
東京大学
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杉井 寿博
富士通研究所 デバイス開発部
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射場 義久
富士通株式会社
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宮嶋 基守
富士通株式会社
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大塚 敏志
富士通株式会社プロセス開発部
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大塚 敏志
富士通株式会社
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陳 傳〓
名工大院
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長澤 忠弘
日本電子
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佐藤 尚
名古屋工業大学
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小林 靖志
(株)富士通研究所
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宍戸 信之
名古屋工業大学
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神谷 庄司
名古屋工業大学
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陳 傅〓
名工大(院)
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武山 真弓
北見工業大学
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野矢 厚
北見工業大学
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佐藤 勝
北見工業大学
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内堀 千尋
米国富士通研究所
-
田村 直義
(株)富士通研究所
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中嶋 一雄
(株)富士通研究所
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清水 紀嘉
富士通研究所
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田中 親子
富士通研究所
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山脇 秀樹
富士通研究所
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記村 隆章
富士通研究所
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井原 賢
富士通研究所
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ピディン S.
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
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井原 賢
富士通研厚木
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記村 隆章
富士通研厚木
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清水 紀嘉
株式会社富士通研究所集積材料研究部
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入野 清
富士通研究所
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田村 直義
富士通研究所、あきる野テクノロジセンター
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ピディン セルゲイ
富士通(株)次世代lsi開発事業部
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ピディン セルゲイ
富士通研究所 デバイス開発部
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森崎 祐輔
富士通研究所 デバイス開発部
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入野 清
株式会社富士通研究所 Cプロジェクト部
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神谷 庄司
名工大
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中村 友二
富士通研究所 デバイス開発部
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大宮 正毅
慶應大
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佐藤 勝
北見工業大学電気電子工学科
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原 明人
東北学院大学理工学部
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原 明人
東北学院大学工学部
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武山 眞弓
北見工業大学電気電子工学科
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前田 展秀
東京大学工学系研究科
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彦坂 吉信
富士通セミコンダクター株式会社
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恵下 隆
富士通セミコンダクター株式会社
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北田 秀樹
東京大学工学系研究科
-
川合 章仁
株式会社ディスコ
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荒井 一尚
株式会社ディスコ
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中石 雅文
富士通(株)
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富田 博文
(株)富士通研究所 材料技術研究所
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ホッブス アンソニー
(株)富士通研究所
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福山 俊一
富士通株式会社
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アンソニー ホッブス
株式会社富士通研究所Cプロジェクト
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細田 勉
富士通株式会社プロセス開発部
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鈴木 貴志
株式会社富士通研究所
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大倉 嘉之
富士通株式会社
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河野 隆宏
富士通株式会社
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綿谷 宏文
富士通株式会社
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ホッブス アンソニー
株式会社富士通研究所cプロジェクト
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射場 義久
富士通マイクロエレクトロニクス
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尾崎 史朗
富士通研究所
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宍戸 信之
名工大
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細田 勉
富士通株式会社
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大宮 正毅
慶應義塾大学
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西田 政弘
名古屋工業大学
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NAKATA Yoshihiro
Fujitsu Laboratories Ltd.
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児玉 祥一
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
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金 永束
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
-
小岩 康三
名古屋工業大学
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野矢 厚
北見工業大学工学部
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武山 真弓
北見工業大学工学部
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神谷 庄司
名古屋工業大学大学院工学研究科
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リー マイケル
米国富士通研究所
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ザン シフォン
テキサス大学オースチン校
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ホー ポール
テキサス大学オースチン校
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鈴木 俊明
日本電子株式会社
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杉井 寿博
(株)富士通研究所
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上田 修
(株)富士通研究所
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ザン シフォン
テキサス大学
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上田 修
株)富士通研究所
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上田 修
富士通研究所・材料技術研究所
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武山 真弓
北見工業大学電気電子工学科
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二木 俊郎
株式会社富士通研究所
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杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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筑根 敦弘
(株)富士通研究所
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谷 元昭
富士通研究所
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中塚 理
名古屋大学
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藤本 興治
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
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佐藤 元伸
富士通株式会社
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野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
高木 英雄
富士通(株)
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工藤 寛
富士通研究所
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筑根 敦弘
富士通研究所
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二木 俊郎
富士通研究所
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松山 英也
富士通
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内堀 千尋
株式会社富士通研究所集積材料研究部
-
吉田 親子
富士通研究所
-
川村 和郎
(株)富士通研究所
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大田 譲
富士通(株)
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渡辺 潔
富士通(株)
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川村 和郎
富士通研究所
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Lee Michael
米国富士通研
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大場 隆之
School of Engineering, The University of Tokyo
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西田 政弘
名工大
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大場 隆之
東京大学工学系研究科
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土川 春穂
(株)富士通研究所
-
木村 孝治
(株)富士通研究所
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児玉 茂夫
富士通研究所
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三沢 信裕
富士通株式会社
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杉浦 巌
株式会社富士通研究所
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杉本 文利
富士通株式会社
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西川 伸之
富士通株式会社
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松山 英也
富士通株式会社
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矢野 映
株式会社富士通研究所
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菅谷 慎二
富士通株式会社プロセス開発部
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村上 聡
富士通株式会社プロセス開発部
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庄野 健
富士通(株)品質保証統括部
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庄野 健
富士通株式会社
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射場 義弘
富士通株式会社
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説田 雄二
富士通株式会社
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酒井 久弥
富士通株式会社
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小浦 由美子
富士通株式会社
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北田 秀樹
株式会社富士通研究所
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中野 憲司
富士通株式会社
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柄沢 章孝
富士通株式会社
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中井 聡
富士通株式会社
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中石 雅文
富士通株式会社
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中村 友二
株式会社 富士通研究所
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塩津 基樹
富士通株式会社
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石川 健治
富士通研究所
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石川 健治
富士通研究所(株)ファブテクノロジ研究部
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川合 章仁
ディスコ
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荒井 一尚
ディスコ
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中石 雅文
富士通マイクロエレクトロニクス
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秋山 深一
富士通マイクロエレクトロニクス
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林 雅一
富士通マイクロエレクトロニクス
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河野 隆宏
富士通マイクロエレクトロニクス
-
岩田 浩
富士通マイクロエレクトロニクス
-
酒井 久弥
富士通マイクロエレクトロニクス
-
杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス
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野久尾 毅
日本電子(株)
-
野久尾 毅
日本電子
-
西田 正弘
名工大
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財満 鎭明
名古屋大学
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ホー ポール
テキサス大学
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財満 鎭明
名古屋大学大学院 工学研究科
-
金 永束
東京大学
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佐藤 元伸
東北大学多元物質科学研究所:(独)産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
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武山 真弓
北見工業大学工学部電気電子工学科
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陳 伝彤
名古屋工業大学
-
西田 政弘
(独)科学技術振興機構
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鈴木 俊明
日本電子(株)
-
野久 尾毅
日本電子(株)
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今村 和之
富士通セミコンダクター
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大宮 正毅
慶應大学工学部:科学技術振興機構CREST
-
大宮 正毅
慶應大:JST
-
大宮 正毅
慶應義塾大学:JST CREST
-
松本 悟
名古屋工業大学
-
宍戸 信之
名工大:JST
-
長澤 忠広
日本電子(株)
-
宍戸 信之
名古屋工業大学:科学技術振興機構CREST
-
野久 尾毅
日本電子株式会社:科学技術振興機構CREST
-
野久尾 毅
日本電子株式会社:JST CREST
-
陳 傳〓
名古屋工業大学
-
長澤 忠広
日本電子株式会社
-
神谷 庄司
名工大:JST
-
西田 政弘
名古屋工業大学:科学技術振興機構CREST
-
西田 政弘
名工大:JST
-
鈴木 俊明
日本電子株式会社:科学技術振興機構CREST
-
小出 正輝
富士通アドバンストテクノロジ
著作論文
- フリップチップ実装工程におけるCu/low-k多層配線の信頼性向上技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- Cu配線におけるグレインおよび微小ボイドの発生
- Bi-Sr-Ca-Cu-O系CVD膜の電気的特性
- ウェーハ積層を用いた三次元高集積化技術(先端電子デバイスパッケージと高密度実装における評価・解析技術論文)
- TaNバリアメタル上のCu/Zrシード層の電気特性と密着性
- 裏面Ti堆積によるC49-C54 TiSi_2相転移の促進と低抵抗微細電極の形成
- 30p-TD-10 Bi-Sr-Ca-Cu-O系CVD膜の構造と電気的特性
- 低待機時消費電力、90-nm、HfO2ゲート絶縁膜MOSFET
- 低待機時消費電力、90-nm、Hf02ゲート絶縁膜 MOSFET
- 実デバイス基板を用いたサブ10ミクロン薄化技術の開発(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 実デバイス基板を用いたサブ10ミクロンの薄化技術の開発(SSD,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 光散乱法を利用した薄膜Si_Ge_X/Siの転位運動の観測(シリコン関連材料の作製と評価)
- イオン注入により導入された酸素・窒素不純物がSiGe/Siヘテロ構造の転位の挙動に及ぼす影響について(シリコン関連材料の作製と評価)
- 20109 機械工学が支援できる最先端デバイス(2)(機械工学が支援する最先端デバイス技術,OS1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- LSIプロセスと表面技術
- 第1回薄膜基礎講座
- TiSi_2の結晶粒径と配向性がC49-C54相変態に与える影響 : プリアモルファス化注入による相変態促進機構の検討
- TiSi_2の結晶粒径と配向性がC49-C54相変態に与える影響 : プリアモルファス化注入による相変態促進機構の検討
- サリサイドプロセスにおけるCoSi_2の反応過程
- TEMによるスパッタTiN膜の結晶粒構造とち密性の評価
- 28p-APS-22 LT-SEMによる超伝導薄膜の観察
- LSI多層配線の信頼性
- 65nm node以降へ向けたNCS/Cu多層配線
- 細幅Cu配線のストレスマイグレーション(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 有機酸ドライクリーニングによるコンタクトビア形成による歩留まり・信頼性の向上
- ダマシンコンタクトTSVによる三次元集積化
- Cu/ポーラスLow-k多層配線におけるバリアメタル酸化の評価
- 3次元積層技術における低温バンプレスTSVプロセス(配線・実装技術と関連材料技術)
- J0601-2-6 集積回路中の配線用銅薄膜界面に対する付着強度の評価([J0601-2]電子情報機器,電子デバイスの強度・信頼性評価と熱制御(2))
- Si貫通ビア(TSV)の側壁ラフネスに起因したリーク電流特性とビア応力の関係(配線・実装技術と関連材料技術)
- Wafer-on-wafer構造における貫通Si電極周辺の局所歪の評価(配線・実装技術と関連材料技術)
- C-6-3 TSV配線における絶縁層としてのSiN_x膜の低温作製(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- Specimen Size Effect of Interface Strength Distribution Induced by Grain Structure of Cu Line
- スパコンからモバイル端末までを支える先端実装技術
- 104 集積回路配線用銅薄膜の付着強度評価における試験片寸法の効果(OS1.電子デバイス・電子材料と計算力学(1),OS・一般セッション講演)
- LSI配線構造中のCu/絶縁膜界面の結晶粒レベル局所強度に対応するサブミクロン機械工学への挑戦(配線・実装技術と関連材料技術)
- OS2406 半導体デバイス配線構造における局所付着強度分布の統計的評価の試み(OS24-2 三次元積層半導体チップにおけるシリコン貫通ビア/微細金属接合技術と強度信頼性,OS-24 三次元積層半導体チップにおけるシリコン貫通ビア/微細金属接合技術と強度信頼性)
- C-6-5 Tsvに適用可能な低温SiN。膜のキャラクタリゼーション(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- Si貫通ビア(TSV)の側壁ラフネスに起因したリーク電流特性とビア応力の関係
- C-6-2 低温作製されたスパッタ-SiN_x膜のカバレージ特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)