Si貫通ビア(TSV)の側壁ラフネスに起因したリーク電流特性とビア応力の関係
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概要
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- 2012-02-27
著者
-
中村 友二
富士通研究所
-
大場 隆之
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
-
藤本 興治
大日本印刷
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水島 賢子
富士通研究所
-
前田 展秀
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
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大場 隆之
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
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北田 秀樹
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
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藤本 興治
大日本印刷株式会社
-
NAKATA Yoshihiro
Fujitsu Laboratories Ltd.
-
児玉 祥一
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
-
金 永束
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
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