3次元LSI集積化技術 (特集 研究開発最前線)
スポンサーリンク
概要
著者
-
北田 秀樹
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
-
水島 賢子
株式会社富士通研究所
-
中田 義弘
株式会社富士通研究所
-
水島 賢子
富士通研究所
-
水島 賢子
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
-
北田 秀樹
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
関連論文
- Si(001)基板上に成長したAl結晶の構造評価
- 14p-DJ-7 Si(001)上のAl薄膜のSTM観察
- ウェーハ積層を用いた三次元高集積化技術(先端電子デバイスパッケージと高密度実装における評価・解析技術論文)
- 32nm世代以降の高信頼多層配線に向けた超薄膜バリア技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- 実デバイス基板を用いたサブ10ミクロン薄化技術の開発(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 実デバイス基板を用いたサブ10ミクロンの薄化技術の開発(SSD,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- NCSを用いた多層配線技術(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 65nm node以降へ向けたNCS/Cu多層配線
- 細幅Cu配線のストレスマイグレーション(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 有機酸ドライクリーニングによるコンタクトビア形成による歩留まり・信頼性の向上
- ダマシンコンタクトTSVによる三次元集積化
- Cu/ポーラスLow-k多層配線におけるバリアメタル酸化の評価
- 45nm世代のCMOS LSI多層配線技術 (特集 研究開発最前線)
- 65nm世代LSI用低誘導電率層間絶縁材料 (特集:研究開発最前線) -- (情報システムを支える技術)
- 3a-Q-3 Si(hhm)(m/h=1.4-1.5)面のSTM観察
- 3次元LSI集積化技術 (特集 研究開発最前線)
- 3次元積層技術における低温バンプレスTSVプロセス(配線・実装技術と関連材料技術)
- Si貫通ビア(TSV)の側壁ラフネスに起因したリーク電流特性とビア応力の関係(配線・実装技術と関連材料技術)
- Wafer-on-wafer構造における貫通Si電極周辺の局所歪の評価(配線・実装技術と関連材料技術)
- 高密度チップ集積を実現する微細再配線の高信頼性技術 : Metal-Capバリア配線技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- Wafer-on-wafer 構造における貫通Si電極周辺の局所歪の評価
- Si貫通ビア(TSV)の側壁ラフネスに起因したリーク電流特性とビア応力の関係
- 三次元積層向けウェハの裏面研削によるダメージ評価(配線・実装技術と関連材料技術)