NCSを用いた多層配線技術(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
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概要
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65nm世代のLSIに向けてNCS(Nano-Clustering Silica)を用いた高強度のCu多層配線技術を開発している.ポアシーリング技術を全く使わずにビアチェーン間で1x10^<-13> A (@0.7 MV/cm)以下のリーク電流を達成した.65nm世代の配線向けにトレンチ幅を小さくする際,バリアメタルを薄膜化することだけでリーク電流を増やすことなく配線のシート抵抗を減らすことができる.SIV(Stress Induced Voiding)については, 200℃で1008時間の放置でもビアチェーンの抵抗は変化しなかった.さらに一層目から四層目までのIMD(Inter-metal Dielectric)にNCSを導入してCu十層配線を作成したが,膜ハガレやクラックは無かった.TC(Thermal Cycle)とPTHS(Pressure Thermal Humidity Stress)の環境試験でも良好な結果が得られ,NCSを用いた多層配線の高い機械強度が示された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-26
著者
-
宮嶋 基守
富士通(株)
-
清水 紀嘉
富士通研究所
-
長谷川 明広
富士通株式会社
-
大場 隆之
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
-
北田 秀樹
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
-
松山 英也
富士通
-
中平 順也
富士通株式会社
-
三沢 信裕
富士通株式会社
-
杉浦 巌
株式会社富士通研究所
-
中田 義弘
株式会社富士通研究所
-
杉本 文利
富士通株式会社
-
西川 伸之
富士通株式会社
-
射場 義久
富士通株式会社
-
北田 秀樹
富士通株式会社
-
大島 政男
富士通株式会社
-
福山 俊一
富士通株式会社
-
清水 紀嘉
富士通株式会社
-
松山 英也
富士通株式会社
-
大場 隆之
富士通株式会社
-
矢野 映
株式会社富士通研究所
-
宮嶋 基守
富士通株式会社
-
北田 秀樹
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
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