実デバイス基板を用いたサブ10ミクロンの薄化技術の開発(SSD,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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概要
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200mmおよび300mmのデバイスウェハーを10μm以下のレベルまで薄化した.裏面研削後にできる200nmの非結晶層はウルトラポリグラインドを適用ずれば50nmまで除去され,またCMPやドライポリッシュを適用すれば完全に除去される.強誘電体(FRAM)デバイスウェハーを9μmまで薄化しても,スイッチングチャージは変化しなかった.CMOSロジックデバイスを7μmまで薄化した場合もオン電流と接合リークに変化はなかった.10μm以下の薄化によりビアラストプロセスにおけるシリコン貫通電極(TSV)のアスペクト比を4以下にすることができる.
- 2010-08-19
著者
-
中村 友二
富士通研究所
-
大場 隆之
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
-
前田 展秀
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
-
北田 秀樹
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
-
川合 章仁
(株)ディスコ
-
荒井 一尚
(株)ディスコ
-
鈴木 浩助
大日本印刷株式会社
-
中村 友二
(株)富士通研究所
-
中村 友二
株式会社富士通研究所集積材料研究部
-
前田 展秀
東京大学工学系研究科
-
金 永〓
東京大学工学系研究科
-
彦坂 吉信
富士通セミコンダクター株式会社
-
恵下 隆
富士通セミコンダクター株式会社
-
北田 秀樹
東京大学工学系研究科
-
藤本 興冶
東京大学工学系研究科
-
水島 賢子
株式会社富士通研究所
-
川合 章仁
株式会社ディスコ
-
荒井 一尚
株式会社ディスコ
-
大場 隆之
東京大学工学系研究科
-
水島 賢子
富士通研究所
-
前田 展秀
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
-
水島 賢子
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
-
北田 秀樹
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
-
藤本 興治
大日本印刷株式会社
-
金 永〓
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
-
中村 友二
株式会社富士通研究所
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