3D/2.5D-IC向けチップ間接続配線の高信頼性を実現するバリア技術(<特集>次世代電子機器を支える三次元積層技術と先端実装の設計・評価技術論文)
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概要
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3D/2.5D-IC技術の要素技術である低コストの有機絶縁膜を用いたチップ間接続配線の微細化の鍵はCuの酸化・腐食を防止するバリア技術にある.我々はバリア材にCoWPを用いた無電解めっきによるメタルキャップバリア配線技術を開発する事により,従来構造ではL/S (Line/Space) = 3/3μmの信頼性要求を満たす事ができなかった再配線の微細化を進め,L/S = 1/1μm配線における高信頼性を実現する事に成功した.有機絶縁膜を用いた再配線構造では,高温多湿下の環境においてCu配線には酸性水分による腐食が発生する.これに対し,CoWPバリアは自身が酸化する事で不動態膜を形成し,Cu配線の腐食を防止する事が可能である.
- 2013-11-01
著者
-
中村 友二
(株)富士通研究所
-
池田 淳也
(株)富士通研究所
-
中田 義弘
(株)富士通研究所
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小林 靖志
(株)富士通研究所
-
神吉 剛司
(株)富士通研究所
-
須田 章一
(株)富士通研究所
-
神吉 剛司
株式会社富士通研究所
-
須田 章一
株式会社富士通研究所
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