TaNバリアメタル上のCu/Zrシード層の電気特性と密着性
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概要
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密着層としてZr層を形成したCu/Zrシード層が低い膜抵抗をもち、TaNバリア層と高い密着性を示す事を見いだした。構造解析と組成分析の結果、熱処理後の試料ではCu/Zr界面とZr/TaN界面で相互拡散や平坦性の乱れが生じていることが明らかになった。このような界面では化学的あるいは物理的結合力が向上するため密着性が向上したと考えられる。熱処理後のCu中へのZrの拡散は微量で、さらにZrがCuの比抵抗に与える影響は小さいためCu/Zrシード層の膜抵抗はZrの形成に依存せず低い値を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-01-21
著者
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内堀 千尋
米国富士通研究所
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清水 紀嘉
富士通研究所
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中村 友二
富士通研究所
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中村 友二
(株)富士通研究所
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内堀 千尋
株式会社富士通研究所集積材料研究部
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清水 紀嘉
株式会社富士通研究所集積材料研究部
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中村 友二
株式会社富士通研究所集積材料研究部
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中村 友二
株式会社富士通研究所
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