TaNバリアメタル上のCu/Zrシード層の電気特性と密着性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
密着層としてZr層を形成したCu/Zrシード層が低い膜抵抗をもち、TaNバリア層と高い密着性を示す事を見いだした。構造解析と組成分析の結果、熱処理後の試料ではCu/Zr界面とZr/TaN界面で相互拡散や平坦性の乱れが生じていることが明らかになった。このような界面では化学的あるいは物理的結合力が向上するため密着性が向上したと考えられる。熱処理後のCu中へのZrの拡散は微量で、さらにZrがCuの比抵抗に与える影響は小さいためCu/Zrシード層の膜抵抗はZrの形成に依存せず低い値を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-01-21
著者
-
内堀 千尋
米国富士通研究所
-
清水 紀嘉
富士通研究所
-
中村 友二
富士通研究所
-
中村 友二
(株)富士通研究所
-
内堀 千尋
株式会社富士通研究所集積材料研究部
-
清水 紀嘉
株式会社富士通研究所集積材料研究部
-
中村 友二
株式会社富士通研究所集積材料研究部
-
中村 友二
株式会社富士通研究所
関連論文
- フリップチップ実装工程におけるCu/low-k多層配線の信頼性向上技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- シミュレーションを活用したフリップチップ実装用Cu/low-k多層配線の高信頼化技術(次世代電子機器における先端実装技術と環境調和型実装技術論文)
- Cu配線におけるグレインおよび微小ボイドの発生
- Si(001)基板上に成長したAl結晶の構造評価
- 14p-DJ-7 Si(001)上のAl薄膜のSTM観察
- Bi-Sr-Ca-Cu-O系CVD膜の電気的特性
- ウェーハ積層を用いた三次元高集積化技術(先端電子デバイスパッケージと高密度実装における評価・解析技術論文)
- 32nm世代以降の高信頼多層配線に向けた超薄膜バリア技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- TaNバリアメタル上のCu/Zrシード層の電気特性と密着性
- 裏面Ti堆積によるC49-C54 TiSi_2相転移の促進と低抵抗微細電極の形成
- 30p-TD-10 Bi-Sr-Ca-Cu-O系CVD膜の構造と電気的特性
- 低待機時消費電力、90-nm、HfO2ゲート絶縁膜MOSFET
- 低待機時消費電力、90-nm、Hf02ゲート絶縁膜 MOSFET
- 実デバイス基板を用いたサブ10ミクロン薄化技術の開発(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 実デバイス基板を用いたサブ10ミクロンの薄化技術の開発(SSD,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 光散乱法を利用した薄膜Si_Ge_X/Siの転位運動の観測(シリコン関連材料の作製と評価)
- イオン注入により導入された酸素・窒素不純物がSiGe/Siヘテロ構造の転位の挙動に及ぼす影響について(シリコン関連材料の作製と評価)
- 45nmノード以降に適用可能なCu配線用PVDバリアメタル技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- 20109 機械工学が支援できる最先端デバイス(2)(機械工学が支援する最先端デバイス技術,OS1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- LSIプロセスと表面技術
- 第1回薄膜基礎講座
- TiSi_2の結晶粒径と配向性がC49-C54相変態に与える影響 : プリアモルファス化注入による相変態促進機構の検討
- TiSi_2の結晶粒径と配向性がC49-C54相変態に与える影響 : プリアモルファス化注入による相変態促進機構の検討
- サリサイドプロセスにおけるCoSi_2の反応過程
- TEMによるスパッタTiN膜の結晶粒構造とち密性の評価
- 28p-APS-22 LT-SEMによる超伝導薄膜の観察
- NCSを用いた多層配線技術(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- LSI多層配線の信頼性
- 65nm node以降へ向けたNCS/Cu多層配線
- 細幅Cu配線のストレスマイグレーション(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 有機酸ドライクリーニングによるコンタクトビア形成による歩留まり・信頼性の向上
- 23pC1 TEMによるAI配線のエレクトロマイグレーションその場観察(その場観察I)
- TEMによるAl配線のエレクトロマイグレーションその場観察
- ダマシンコンタクトTSVによる三次元集積化
- Cu/ポーラスLow-k多層配線におけるバリアメタル酸化の評価
- Cu-Mn合金を用いた高信頼超薄膜バリアメタル
- 3a-Q-3 Si(hhm)(m/h=1.4-1.5)面のSTM観察
- スパッタリング装置 (超LSI製造・試験装置ガイドブック 2004年版) -- (製造装置編)
- 3次元積層技術における低温バンプレスTSVプロセス(配線・実装技術と関連材料技術)
- J0601-2-6 集積回路中の配線用銅薄膜界面に対する付着強度の評価([J0601-2]電子情報機器,電子デバイスの強度・信頼性評価と熱制御(2))
- Si貫通ビア(TSV)の側壁ラフネスに起因したリーク電流特性とビア応力の関係(配線・実装技術と関連材料技術)
- Wafer-on-wafer構造における貫通Si電極周辺の局所歪の評価(配線・実装技術と関連材料技術)
- C-6-3 TSV配線における絶縁層としてのSiN_x膜の低温作製(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- Specimen Size Effect of Interface Strength Distribution Induced by Grain Structure of Cu Line
- ラジカル反応を応用した低温でのSiN_x膜の作製
- スパコンからモバイル端末までを支える先端実装技術
- 3D/2.5D-IC向けチップ間接続配線の高信頼性を実現するバリア技術(次世代電子機器を支える三次元積層技術と先端実装の設計・評価技術論文)
- 104 集積回路配線用銅薄膜の付着強度評価における試験片寸法の効果(OS1.電子デバイス・電子材料と計算力学(1),OS・一般セッション講演)
- LSI配線構造中のCu/絶縁膜界面の結晶粒レベル局所強度に対応するサブミクロン機械工学への挑戦(配線・実装技術と関連材料技術)
- 高密度チップ集積を実現する微細再配線の高信頼性技術 : Metal-Capバリア配線技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- OS2406 半導体デバイス配線構造における局所付着強度分布の統計的評価の試み(OS24-2 三次元積層半導体チップにおけるシリコン貫通ビア/微細金属接合技術と強度信頼性,OS-24 三次元積層半導体チップにおけるシリコン貫通ビア/微細金属接合技術と強度信頼性)
- C-6-5 Tsvに適用可能な低温SiN。膜のキャラクタリゼーション(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- Wafer-on-wafer 構造における貫通Si電極周辺の局所歪の評価
- 低温プロセスによるSiN_x膜の特性評価(簿膜プロセス・材料,一般)
- Si貫通ビア(TSV)の側壁ラフネスに起因したリーク電流特性とビア応力の関係
- C-6-2 低温作製されたスパッタ-SiN_x膜のカバレージ特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- 三次元積層向けウェハの裏面研削によるダメージ評価(配線・実装技術と関連材料技術)