TiSi_2の結晶粒径と配向性がC49-C54相変態に与える影響 : プリアモルファス化注入による相変態促進機構の検討
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概要
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Si基板へのプリアモルファス化注入(PAI)が, TiSi_2のC49-C54相変態に及ぼす効果について調べた. まず, PAI処理によりC49-TiSi_2の結晶粒径が微細化され, 結晶粒径が小さいほどC49-C54相変態速度が速くなることを示した. 次に, C49結晶粒と基板Siとの配向関係に着目し, PAI処理により配向性が変化すること, および配向性の低い試料ほど速い相変態速度が得られることを示した. 以上の結果から, PAIによるTiSi_2の低抵抗化の促進に, 相変態を抑制する配向関係の減少の影響が考えられることを示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-07-24
著者
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