池田 和人 | (株)富士通研究所
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概要
関連著者
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池田 和人
富士通研究所
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池田 和人
(株)富士通研究所
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中村 友二
富士通研究所
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中村 友二
(株)富士通研究所
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山本 智彦
富士通株式会社
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金 永ソク
(株)富士通研究所
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島宗 洋介
(株)富士通研究所
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早見 由香
(株)富士通研究所
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助川 和雄
(株)富士通研究所
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杉井 寿博
(株)富士通研究所
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池田 和人
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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池田 圭司
(株)富士通研究所
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宮下 俊彦
(株)富士通研究所
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金永 ソク
(株)富士通研究所
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山本 知成
(株)富士通研究所
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三本杉 安弘
(株)富士通研究所
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落水 洋聡
(株)富士通研究所
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迫田 恒久
(株)富士通研究所
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南方 浩志
(株)富士通研究所
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大越 克明
富士通株式会社
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福田 真大
富士通株式会社
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岡部 堅一
富士通株式会社
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久保 智裕
富士通株式会社
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田島 貢
富士通株式会社
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大和田 保
富士通株式会社
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森 年史
富士通株式会社
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筑根 敦弘
(株)富士通研究所
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加勢 正隆
富士通株式会社
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加瀬 正隆
富士通
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富田 博文
(株)富士通研究所 材料技術研究所
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杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス
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筑根 敦弘
(株)富士通
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中嶋 一雄
(株)富士通研究所
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助川 和雄
富士通株式会社
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池田 圭司
半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)
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高木 英雄
富士通(株)
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川村 和郎
(株)富士通研究所
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大田 譲
富士通(株)
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渡辺 潔
富士通(株)
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川村 和郎
富士通研究所
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木村 孝治
(株)富士通研究所
著作論文
- トランジスタ領域毎に最適化された複数歪技術を用いる45nm高性能・低リークバルクロジックプラットフォーム技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- トランジスタ領域毎に最適化された複数歪技術を用いる45nmノード高性能・低リークバルクロジックプラットフォーム技術
- 裏面Ti堆積によるC49-C54 TiSi_2相転移の促進と低抵抗微細電極の形成
- TiSi_2の結晶粒径と配向性がC49-C54相変態に与える影響 : プリアモルファス化注入による相変態促進機構の検討
- TiSi_2の結晶粒径と配向性がC49-C54相変態に与える影響 : プリアモルファス化注入による相変態促進機構の検討
- サリサイドプロセスにおけるCoSi_2の反応過程