金永 ソク | (株)富士通研究所
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概要
関連著者
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金 永ソク
(株)富士通研究所
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島宗 洋介
(株)富士通研究所
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早見 由香
(株)富士通研究所
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金永 ソク
(株)富士通研究所
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森 年史
富士通株式会社
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田島 貢
富士通株式会社
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児島 学
富士通
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小倉 寿典
富士通(株)
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片上 朗
(株)富士通研究所
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佐久間 崇
(株)富士通研究所
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森岡 博
富士通(株)
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助川 和雄
(株)富士通研究所
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橋本 浩一
富士通(株)
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杉井 寿博
(株)富士通研究所
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杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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川村 和郎
富士通マイクロエレクトロニクス
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福田 真大
富士通株式会社
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森岡 博
富士通株式会社
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田村 直義
富士通研究所、あきる野テクノロジセンター
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大田 裕之
富士通研究所、あきる野テクノロジセンター
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畑田 明良
富士通
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杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス
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山本 智彦
富士通株式会社
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大田 裕之
富士通、あきる野テクノロジセンター
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金永 ソク
富士通、あきる野テクノロジセンター
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島宗 洋介
富士通研究所
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佐久間 崇
富士通、あきる野テクノロジセンター
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畑田 明良
富士通研究所
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片上 朗
富士通研究所
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添田 武志
富士通研究所
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川村 和郎
富士通、あきる野テクノロジセンター
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小倉 輝
富士通、あきる野テクノロジセンター
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森岡 博
富士通、あきる野テクノロジセンター
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渡邉 崇史
富士通、あきる野テクノロジセンター
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王 純志
富士通、あきる野テクノロジセンター
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早見 由香
富士通、あきる野テクノロジセンター
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小倉 寿典
富士通、あきる野テクノロジセンター
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田島 貢
富士通、あきる野テクノロジセンター
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森 年史
富士通、あきる野テクノロジセンター
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田村 直義
富士通研究所
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児島 学
富士通、あきる野テクノロジセンター
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橋本 浩一
富士通、あきる野テクノロジセンター
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助川 和雄
富士通株式会社
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池田 和人
富士通研究所
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池田 和人
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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池田 圭司
(株)富士通研究所
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宮下 俊彦
(株)富士通研究所
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山本 知成
(株)富士通研究所
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三本杉 安弘
(株)富士通研究所
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落水 洋聡
(株)富士通研究所
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迫田 恒久
(株)富士通研究所
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南方 浩志
(株)富士通研究所
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大越 克明
富士通株式会社
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岡部 堅一
富士通株式会社
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久保 智裕
富士通株式会社
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大和田 保
富士通株式会社
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筑根 敦弘
(株)富士通研究所
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池田 和人
(株)富士通研究所
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加勢 正隆
富士通株式会社
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加瀬 正隆
富士通
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筑根 敦弘
(株)富士通
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福田 真大
富士通(株)
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畑田 明良
富士通(株)
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川村 和郎
富士通(株)
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大田 裕之
(株)富士通研究所
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南 孝宜
富士通(株)
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田村 直義
(株)富士通研究所
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森 年史
富士通(株)
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児島 学
富士通(株)
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宮嶋 基守
富士通(株)
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佐藤 成生
(株)富士通研究所
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佐藤 成生
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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池田 圭司
半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)
著作論文
- トランジスタ領域毎に最適化された複数歪技術を用いる45nm高性能・低リークバルクロジックプラットフォーム技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- プロセス最適化によるSiGeソース・ドレインPMOSFETの性能向上
- Σ型SiGe-SD構造を有する超高速45nmノード・バルクCMOSデバイス
- Σ型SiGe-SD構造を有する超高速45nmノード・バルクCMOSデバイス(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- トランジスタ領域毎に最適化された複数歪技術を用いる45nmノード高性能・低リークバルクロジックプラットフォーム技術