杉井 寿博 | (株)富士通研究所

スポンサーリンク

概要

• 同名の論文著者
• (株)富士通研究所の論文著者

関連著者

• 杉井 寿博

  (株)富士通研究所

• 杉井 寿博

  富士通マイクロエレクトロニクス株式会社

• 杉井 寿博

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 杉井 寿博

  富士通研究所

• 籾山 陽一

  富士通マイクロエレクトロニクス株式会社

• 籾山 陽一

  富士通(株)

• 杉井 寿博

  富士通研究所 デバイス開発部

• 佐藤 成生

  富士通マイクロエレクトロニクス株式会社

• 後藤 賢一

  富士通株式会社 次世代lsi開発事業部

• 後藤 賢一

  (株)富士通研究所

• 森 年史

  富士通株式会社

• 大田 裕之

  富士通研究所、あきる野テクノロジセンター

• 畑田 明良

  富士通

• 福留 秀暢

  富士通マイクロエレクトロニクス株式会社

• 池田 圭司

  (株)富士通研究所

• 岡部 堅一

  富士通株式会社

• 田島 貢

  富士通株式会社

• 加勢 正隆

  富士通株式会社

• 加瀬 正隆

  富士通

• 福留 秀暢

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 青木 正樹

  富士通株式会社ソフトウェア事業本部

• 児島 学

  富士通

• 助川 和雄

  (株)富士通研究所

• 保坂 公彦

  富士通マイクロエレクトロニクス株式会社

• 池田 圭司

  半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)

• 籾山 陽一

  富士通研究所

• 佐藤 成生

  富士通研究所

• 筑根 敦弘

  (株)富士通研究所

• 田村 直義

  富士通研究所、あきる野テクノロジセンター

• 佐藤 成生

  富士通研究所先端cmos開発部

• 吉田 親子

  富士通研

• 金 永ソク

  (株)富士通研究所

• 島宗 洋介

  (株)富士通研究所

• 早見 由香

  (株)富士通研究所

• 森岡 博

  富士通(株)

• 森 年史

  富士通(株)

• 橋本 浩一

  富士通(株)

• 助川 和雄

  富士通株式会社

• 山崎 辰也

  富士通・半導体プロセス開発部

• 二木 俊郎

  株式会社富士通研究所

• 山崎 辰也

  (株)富士通研究所

• 大田 裕之

  富士通研究所

• 川村 和郎

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 福留 秀暢

  富士通研究所

• 岡部 堅一

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 池田 圭司

  富士通研究所

• 金永 ソク

  (株)富士通研究所

• 三本杉 安弘

  (株)富士通研究所

• 落水 洋聡

  (株)富士通研究所

• 南方 浩志

  (株)富士通研究所

• 大越 克明

  富士通株式会社

• 福田 真大

  富士通株式会社

• 森岡 博

  富士通株式会社

• 籾山 陽一

  (株)富士通研究所

• 能代 英之

  富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所

• 倉田 創

  (株)富士通研究所 基盤技術研究所

• 吉田 親子

  (株)富士通研究所

• 山本 智彦

  富士通株式会社

• 畑田 明良

  富士通(株)

• 小倉 輝

  富士通、あきる野テクノロジセンター

• 田村 直義

  富士通研究所

• 若林 整

  NEC

• 若林 整

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 若林 整

  NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 池田 和人

  富士通研究所

• 池田 和人

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 加勢 正隆

  富士通(株)ULSI開発部

• 堀 陽子

  富士通クオリティ・ラボ株式会社

• 田島 貢

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 保坂 公彦

  富士通研究所

• 宮下 俊彦

  (株)富士通研究所

• 山本 知成

  (株)富士通研究所

• 迫田 恒久

  (株)富士通研究所

• 久保 智裕

  富士通株式会社

• 大和田 保

  富士通株式会社

• 池田 和人

  (株)富士通研究所

• ピディン S.

  富士通

• 稲垣 聡

  富士通

• 堀 充明

  富士通

• 大田 裕之

  富士通株式会社 次世代LSI開発事業部

• ピディン S.

  富士通株式会社 次世代LSI開発事業部

• 籾山 陽一

  富士通株式会社 次世代LSI開発事業部

• 小倉 輝

  富士通株式会社 次世代LSI開発事業部

• 稲垣 聡

  富士通株式会社 次世代LSI開発事業部

• 田村 直義

  富士通株式会社 次世代LSI開発事業部

• 堀 充明

  富士通株式会社 次世代LSI開発事業部

• 杉井 寿博

  富士通株式会社 次世代LSI開発事業部

• 工藤 寛

  富士通研究所

• 筑根 敦弘

  富士通研究所

• 二木 俊郎

  富士通研究所

• 黒田 忠広

  慶応大学

• 井上 淳樹

  (株)富士通研究所

• 田川 幸雄

  富士通株式会社

• 立岡 真人

  (株)富士通研究所

• 山崎 辰也

  富士通研究所

• 出浦 学

  富士通研究所

• 小林 胤雄

  東芝セミコンダクター社

• 奈良 安雄

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 小倉 寿典

  富士通(株)

• 福田 真大

  富士通(株)

• 片上 朗

  (株)富士通研究所

• 川村 和郎

  富士通(株)

• 大田 裕之

  (株)富士通研究所

• 佐久間 崇

  (株)富士通研究所

• 南 孝宜

  富士通(株)

• 田村 直義

  (株)富士通研究所

• 児島 学

  富士通(株)

• 宮嶋 基守

  富士通(株)

• 佐藤 成生

  (株)富士通研究所

• 大田 裕之

  富士通、あきる野テクノロジセンター

• 田島 貢

  富士通、あきる野テクノロジセンター

• 河野 隆宏

  富士通(株)

• 野瀬 浩一

  Nec

• 横山 直樹

  (株)富士通研究所

• 北田 秀樹

  富士通研究所

• 清水 紀嘉

  富士通研究所

• 中村 友二

  富士通研究所

• 橋本 浩一

  富士通プロセス開発部第1開発部

• 松尾 二郎

  京都大学工学研究科附属量子理工学研究実験センター

• 佐藤 嘉洋

  富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所

• 松尾 二郎

  京都大学 大学院工学研究科 附属量子理工学教育研究センター

• 瀬木 利夫

  京都大学 大学院工学研究科 原子核工学専攻

• 青木 学聡

  京都大学 大学院工学研究科 電子工学専攻

• 横山 直樹

  株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター

• 若林 整

  ソニー(株)

• 青山 敬幸

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 臼杵 達哉

  (株)富士通研究所

• 山田 公

  京都大学工学部附属イオン工学実験施設

• 草場 拓也

  京都大学工学研究科付属イオン工学実験施設

• 瀬木 利夫

  京都大学工学研究科付属イオン工学実験施設

• 青木 学聡

  京都大学工学研究科付属イオン工学実験施設

• 助川 和雄

  富士通研究所、あきる野テクノロジセンター

• 杉山 芳弘

  富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所

• 堀口 直人

  株式会社富士通研究所

• 横山 直樹

  ナノテクノロジー研究センター株式会社富士通研究所

• 田川 幸雄

  富士通

• 田川 幸雄

  富士通株式会社 次世代LSI開発事業部

• 橋本 浩一

  富士通株式会社 次世代LSI開発事業部

• 児島 学

  富士通株式会社 次世代LSI開発事業部

• 大場 隆之

  東京大学大学院工学系研究科総合研究機構

• 北田 秀樹

  東京大学大学院工学系研究科総合研究機構

• 中村 友二

  (株)富士通研究所

• 山田 公

  京大

• 吉田 英司

  富士通研究所

• 奈良 安雄

  富士通研究所

• 羽根田 雅希

  富士通研究所

• 落水 洋聡

  富士通研究所

• 岡野 俊一

  富士通研究所

• 大塚 信幸

  富士通研究所

• 砂山 理江

  富士通研究所

• 鈴木 貴志

  富士通研究所

• 田平 貴裕

  富士通研究所

• 酒井 久弥

  富士通

• 天利 聡

  富士通

• 松山 英也

  富士通

• 臼杵 達哉

  株式会社富士通研究所

• 後藤 賢一

  株式会社富士通研究所

• 杉井 寿博

  株式会社富士通研究所

• 大場 隆之

  東京大学

• 伊藤 隆司

  (株)富士通研究所

• 橋本 浩一

  富士通

• 水島 賢子

  株式会社富士通研究所

• 宮本 真人

  富士通

• 斎木 孝志

  富士通

• 中石 雅文

  富士通(株)

• 伊藤 隆司

  富士通研究所

• 青山 敬幸

  富士通研究所

• 中田 義弘

  株式会社富士通研究所

• 射場 義久

  富士通株式会社

• 鈴木 邦広

  富士通研究所

• 鈴木 邦広

  (株)富士通研究所

• 鈴木 貴志

  株式会社 富士通研究所

• 青木 正樹

  富士通研究所 メモリデバイス研究部

• 伊藤 隆司

  東京工業大学ソリューション研究機構:広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所

• 南方 浩志

  富士通研究所

• 佐藤 章

  (株)富士通研究所

• 後藤 賢一

  富士通研究所

• 深野 哲

  富士通研究所

• 戸坂 義春

  富士通研究所

• 青木 正樹

  富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所

• 加勢 正隆

  富士通

• 青木 学聡

  クラスターイオンビーム集中研究体

• 野瀬 浩二

  Nec

• 深野 哲

  富士通研究所、ulsiプロセス研究部

• 射場 義久

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 石川 健治

  富士通研究所

• 石川 健治

  富士通研究所(株)ファブテクノロジ研究部

• 佐藤 嘉洋

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 青山 敬幸

  株式会社富士通研究所:(現)selete

• 尾崎 史朗

  富士通研究所

• 中田 義弘

  富士通研究所

• 中石 雅文

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 秋山 深一

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 水島 賢子

  富士通研究所

• 林 雅一

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 河野 隆宏

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 岩田 浩

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 酒井 久弥

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 天利 聡

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 青木 正樹

  富士通研究所

もっと見る 閉じる

著作論文

• トランジスタ領域毎に最適化された複数歪技術を用いる45nm高性能・低リークバルクロジックプラットフォーム技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• プロセス最適化によるSiGeソース・ドレインPMOSFETの性能向上
• Sub-30nm NMOSFETにおけるゲートLER起因閾値電圧ばらつきを抑制するための包括的な不純物分布設計法(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• デカボランイオン注入による損傷の形成とその増速拡散への影響
• ハイブリッド・ゲート構造(NMOS:不純物閉じ込め層/PMOS:FLAによるNi-FUSI)を有する高性能サブ35nmバルクCMOSFET : ハイブリッド・ゲート構造(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• トランジスタ領域毎に最適化された複数歪技術を用いる45nmノード高性能・低リークバルクロジックプラットフォーム技術
• 不純物閉じ込め層(DCL)を有するサブ40nm高性能CMOS特性(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 65nmノード用高性能25nm CMOS技術
• 65nmノード用高性能25nm CMOS技術(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• 32nm世代以降の高信頼多層配線に向けた超薄膜バリア技術(配線・実装技術と関連材料技術)
• 極薄トンネル酸化膜を有するフローティングゲートメモリ : ダイレクトトンネルメモリ(DTM)
• ハイブリッド・ゲート構造(NMOS:不純物閉じ込め層/PMOS:FLAによるNi-FUSI)を有する高性能サブ35nmバルクCMOSFET : ハイブリッド・ゲート構造(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• Sub-30nm NMOSFETにおけるゲートLER起因閾値電圧ばらつきを抑制するための包括的な不純物分布設計法(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• インバータ特性電流を用いた低消費電力CMOS回路用デバイス設計
• 微細MOSデバイスにおけるオーバーラップ容量の影響
• 低Vth設計・低電圧動作によるCMOSデバイスの低消費電力化
• Tox,VdスケーリングによるCMOSデバイスの低消費電力化
• 極薄Si直接窒化・酸化ゲート絶縁膜の評価
• 窒化酸化膜緩衝層を用いた改良LOCOS (ON-LOCOS) 素子分離技術
• 浅いソース・ドレイン接合をもつ微細pMOSFETの特性
• 浅いソース・ドレイン接合をもつ微細pMOSFETの特性
• Ta_2O_5/SiO_2をゲート絶縁膜に用いた微細nMOSFETの試作
• 高濃度チャネルとカウンタドープを用いたサブ0.1μmSOI-MOSFET
• ディープサブミクロンCMOSインバータの遅延時間削減への検討
• ダブルゲートSOI-MOSFETのスケーリング理論に基づく伝搬遅延時間の解析
• 有機酸ドライクリーニングによるコンタクトビア形成による歩留まり・信頼性の向上
• 高速,低電圧動作のためのディープサブミクロンCMOSデバイス技術(ディープサブミクロンMOSトランジスタ技術小特集)
• 不揮発性メモリ・ユニポーラ型ReRAMの90nm世代における回路動作の提案
• [パネルディスカッション]デバイス・回路技術者協議 : ゲートリーク問題は誰が解くか?(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• [パネルディスカッション]デバイス・回路技術者協議 : ゲートリーク問題は誰が解くか?(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• システムLSI混載用STT-MRAMの高性能化とBEOLへのインテグレーション(不揮発メモリ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• システムLSI混載用STT-MRAMの高性能化とBEOLへのインテグレーション(不揮発メモリ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 混載SRAM置き換え用STT-MRAMの高性能化とインテグレーション(先端メモリ)
• STT-MRAMの特性改善に向けたダミーフリー層と2重トンネル接合を有する新しいMTJ(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク