大場 隆之 | 東京大学大学院工学系研究科総合研究機構

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概要

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関連著者

• 大場 隆之

  東京大学大学院工学系研究科総合研究機構

• 中村 友二

  富士通研究所

• 北田 秀樹

  東京大学大学院工学系研究化総合研究機構

• 北田 秀樹

  東京大学大学院工学系研究科総合研究機構

• 中村 友二

  (株)富士通研究所

• 水島 賢子

  富士通研究所

• 前田 展秀

  東京大学大学院工学系研究化総合研究機構

• 藤本 興治

  大日本印刷株式会社

• 前田 展秀

  東京大学大学院工学系研究科総合研究機構

• 藤本 興冶

  東京大学工学系研究科

• 水島 賢子

  株式会社富士通研究所

• 水島 賢子

  東京大学大学院工学系研究化総合研究機構

• 川合 章仁

  (株)ディスコ

• 荒井 一尚

  (株)ディスコ

• 鈴木 浩助

  大日本印刷株式会社

• 大場 隆之

  東京大学

• 金 永〓

  東京大学工学系研究科

• 藤本 興治

  大日本印刷

• 大場 隆之

  東京大学大学院工学系研究化総合研究機構

• 金 永〓

  東京大学大学院工学系研究科総合研究機構

• 中村 友二

  株式会社富士通研究所集積材料研究部

• 中田 義弘

  株式会社富士通研究所

• 中村 友二

  株式会社富士通研究所

• 前田 展秀

  東京大学工学系研究科

• 彦坂 吉信

  富士通セミコンダクター株式会社

• 恵下 隆

  富士通セミコンダクター株式会社

• 北田 秀樹

  東京大学工学系研究科

• 川合 章仁

  株式会社ディスコ

• 荒井 一尚

  株式会社ディスコ

• 三沢 信裕

  富士通株式会社

• 射場 義久

  富士通株式会社

• 中田 義弘

  富士通研究所

• NAKATA Yoshihiro

  Fujitsu Laboratories Ltd.

• 児玉 祥一

  東京大学大学院工学系研究科総合研究機構

• 金 永束

  東京大学大学院工学系研究科総合研究機構

• 北田 秀樹

  東京大学

• 宮嶋 基守

  富士通(株)

• 杉井 寿博

  (株)富士通研究所

• 河野 隆宏

  富士通(株)

• 清水 紀嘉

  富士通研究所

• 二木 俊郎

  株式会社富士通研究所

• 長谷川 明広

  富士通株式会社

• 杉井 寿博

  富士通マイクロエレクトロニクス株式会社

• 杉井 寿博

  富士通研究所

• 筑根 敦弘

  (株)富士通研究所

• 中塚 理

  名古屋大学

• 藤本 興治

  東京大学大学院工学系研究科総合研究機構

• 工藤 寛

  富士通研究所

• 筑根 敦弘

  富士通研究所

• 二木 俊郎

  富士通研究所

• 松山 英也

  富士通

• 杉井 寿博

  富士通研究所 デバイス開発部

• 大場 隆之

  School of Engineering, The University of Tokyo

• 大場 隆之

  東京大学工学系研究科

• 中石 雅文

  富士通(株)

• 中平 順也

  富士通株式会社

• 杉浦 巌

  株式会社富士通研究所

• 杉本 文利

  富士通株式会社

• 西川 伸之

  富士通株式会社

• 北田 秀樹

  富士通株式会社

• 大島 政男

  富士通株式会社

• 福山 俊一

  富士通株式会社

• 清水 紀嘉

  富士通株式会社

• 松山 英也

  富士通株式会社

• 大場 隆之

  富士通株式会社

• 矢野 映

  株式会社富士通研究所

• 宮嶋 基守

  富士通株式会社

• 星野 雅孝

  富士通プロセス開発部

• 三沢 信裕

  富士通プロセス開発部

• 角田 一夫

  富士通プロセス開発部

• 大迫 なぎさ

  富士通プロセス開発部

• 岡本 茂

  富士通プロセス開発部

• 大場 隆之

  富士通プロセス開発部

• 八木 春良

  富士通プロセス開発部

• 山田 雅雄

  富士通プロセス開発部

• 古村 雄二

  富士通プロセス開発部

• 古村 雄二

  フィルブリッジ

• 射場 義久

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 石川 健治

  富士通研究所

• 石川 健治

  富士通研究所(株)ファブテクノロジ研究部

• 川合 章仁

  ディスコ

• 荒井 一尚

  ディスコ

• 尾崎 史朗

  富士通研究所

• 中石 雅文

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 秋山 深一

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 林 雅一

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 河野 隆宏

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 岩田 浩

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 杉井 寿博

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 山田 雅雄

  富士通株式会社プロセス開発部第四開発部

• 財満 鎭明

  名古屋大学

• 財満 鎭明

  名古屋大学大学院 工学研究科

• 金 永束

  東京大学

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著作論文

• ウェーハ積層を用いた三次元高集積化技術(先端電子デバイスパッケージと高密度実装における評価・解析技術論文)
• ULSI・実装インターコネクト材料技術調査専門委員会
• 実デバイス基板を用いたサブ10ミクロン薄化技術の開発(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 実デバイス基板を用いたサブ10ミクロンの薄化技術の開発(SSD,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• NCSを用いた多層配線技術(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
• スパッタ法とCVD法とスパッタ・リフロー法とで成膜したCMP-Cu配線の特性比較
• 有機酸ドライクリーニングによるコンタクトビア形成による歩留まり・信頼性の向上
• ダマシンコンタクトTSVによる三次元集積化
• 3次元積層技術における低温バンプレスTSVプロセス(配線・実装技術と関連材料技術)
• Si貫通ビア(TSV)の側壁ラフネスに起因したリーク電流特性とビア応力の関係(配線・実装技術と関連材料技術)
• Wafer-on-wafer構造における貫通Si電極周辺の局所歪の評価(配線・実装技術と関連材料技術)
• Si貫通ビア(TSV)の側壁ラフネスに起因したリーク電流特性とビア応力の関係

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