大場 隆之 | 東京大学大学院工学系研究化総合研究機構

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概要

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• 同名の論文著者
• 東京大学大学院工学系研究化総合研究機構の論文著者

関連著者

• 中村 友二

  富士通研究所

• 大場 隆之

  東京大学大学院工学系研究科総合研究機構

• 前田 展秀

  東京大学大学院工学系研究化総合研究機構

• 大場 隆之

  東京大学大学院工学系研究化総合研究機構

• 北田 秀樹

  東京大学大学院工学系研究化総合研究機構

• 藤本 興治

  大日本印刷株式会社

• 前田 展秀

  東京大学大学院工学系研究科総合研究機構

• 北田 秀樹

  東京大学大学院工学系研究科総合研究機構

• 中村 友二

  (株)富士通研究所

• 藤本 興冶

  東京大学工学系研究科

• 藤本 興治

  大日本印刷

• 水島 賢子

  富士通研究所

• 水島 賢子

  株式会社富士通研究所

• 水島 賢子

  東京大学大学院工学系研究化総合研究機構

• NAKATA Yoshihiro

  Fujitsu Laboratories Ltd.

• 児玉 祥一

  東京大学大学院工学系研究科総合研究機構

• 金 永束

  東京大学大学院工学系研究科総合研究機構

• 藤本 興治

  東京大学大学院工学系研究科総合研究機構

• 川合 章仁

  (株)ディスコ

• 荒井 一尚

  (株)ディスコ

• 鈴木 浩助

  大日本印刷株式会社

• 金 永〓

  東京大学工学系研究科

• 中田 義弘

  株式会社富士通研究所

• 中田 義弘

  富士通研究所

• 金 永〓

  東京大学大学院工学系研究科総合研究機構

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著作論文

• ウェーハ積層を用いた三次元高集積化技術(先端電子デバイスパッケージと高密度実装における評価・解析技術論文)
• 3次元積層技術における低温バンプレスTSVプロセス(配線・実装技術と関連材料技術)
• Si貫通ビア(TSV)の側壁ラフネスに起因したリーク電流特性とビア応力の関係(配線・実装技術と関連材料技術)
• Si貫通ビア(TSV)の側壁ラフネスに起因したリーク電流特性とビア応力の関係

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