北田 秀樹 | 東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
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概要
関連著者
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北田 秀樹
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
-
北田 秀樹
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
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中村 友二
富士通研究所
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大場 隆之
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
-
中村 友二
(株)富士通研究所
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水島 賢子
株式会社富士通研究所
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水島 賢子
富士通研究所
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前田 展秀
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
-
水島 賢子
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
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藤本 興治
大日本印刷株式会社
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清水 紀嘉
富士通研究所
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前田 展秀
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
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藤本 興冶
東京大学工学系研究科
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中村 友二
株式会社富士通研究所
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川合 章仁
(株)ディスコ
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荒井 一尚
(株)ディスコ
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鈴木 浩助
大日本印刷株式会社
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中村 友二
株式会社富士通研究所集積材料研究部
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金 永〓
東京大学工学系研究科
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中田 義弘
株式会社富士通研究所
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藤本 興治
大日本印刷
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大場 隆之
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
-
金 永〓
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
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北田 秀樹
富士通研究所
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大場 隆之
東京大学
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北田 秀樹
東京大学
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宮嶋 基守
富士通(株)
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上田 修
(株)富士通研究所
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上田 修
株)富士通研究所
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中塚 理
名古屋大学
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鈴木 貴志
富士通研究所
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松山 英也
富士通
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前田 展秀
東京大学工学系研究科
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彦坂 吉信
富士通セミコンダクター株式会社
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恵下 隆
富士通セミコンダクター株式会社
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北田 秀樹
東京大学工学系研究科
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川合 章仁
株式会社ディスコ
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荒井 一尚
株式会社ディスコ
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三沢 信裕
富士通株式会社
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杉浦 巌
株式会社富士通研究所
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杉本 文利
富士通株式会社
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西川 伸之
富士通株式会社
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射場 義久
富士通株式会社
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福山 俊一
富士通株式会社
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矢野 映
株式会社富士通研究所
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宮嶋 基守
富士通株式会社
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鈴木 貴志
株式会社 富士通研究所
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酒井 久弥
富士通マイクロエレクトロニクス
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財満 鎭明
名古屋大学
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金 永束
東京大学
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NAKATA Yoshihiro
Fujitsu Laboratories Ltd.
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児玉 祥一
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
-
金 永束
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
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八木 克道
東工大・理
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杉井 寿博
(株)富士通研究所
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河野 隆宏
富士通(株)
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上田 修
富士通研究所・材料技術研究所
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清水 紀嘉
(株)富士通研究所
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北田 秀樹
(株)富士通研究所
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二木 俊郎
株式会社富士通研究所
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長谷川 明広
富士通株式会社
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鈴木 孝将
物性研
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箕田 弘喜
東工大・理工学研究科
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谷城 康眞
東工大・理工学研究科
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杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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杉井 寿博
富士通研究所
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落水 洋聡
(株)富士通研究所
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筑根 敦弘
(株)富士通研究所
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藤本 興治
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
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工藤 寛
富士通研究所
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羽根田 雅希
富士通研究所
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落水 洋聡
富士通研究所
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筑根 敦弘
富士通研究所
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岡野 俊一
富士通研究所
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大塚 信幸
富士通研究所
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砂山 理江
富士通研究所
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田平 貴裕
富士通研究所
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二木 俊郎
富士通研究所
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酒井 久弥
富士通
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天利 聡
富士通
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清水 紀嘉
株式会社富士通研究所集積材料研究部
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杉井 寿博
富士通研究所 デバイス開発部
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大場 隆之
School of Engineering, The University of Tokyo
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大場 隆之
東京大学工学系研究科
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中石 雅文
富士通(株)
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中平 順也
富士通株式会社
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北田 秀樹
富士通株式会社
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大島 政男
富士通株式会社
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清水 紀嘉
富士通株式会社
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松山 英也
富士通株式会社
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大場 隆之
富士通株式会社
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大塚 敏志
富士通株式会社プロセス開発部
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射場 義弘
富士通株式会社
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説田 雄二
富士通株式会社
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酒井 久弥
富士通株式会社
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小浦 由美子
富士通株式会社
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鈴木 貴志
株式会社富士通研究所
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北田 秀樹
株式会社富士通研究所
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中野 憲司
富士通株式会社
-
柄沢 章孝
富士通株式会社
-
大倉 嘉之
富士通株式会社
-
河野 隆宏
富士通株式会社
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綿谷 宏文
富士通株式会社
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中井 聡
富士通株式会社
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中石 雅文
富士通株式会社
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大塚 敏志
富士通株式会社
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川合 章仁
ディスコ
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荒井 一尚
ディスコ
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中田 義弘
富士通研究所
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天利 聡
富士通マイクロエレクトロニクス
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杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス
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鈴木 孝将
東工大・理
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財満 鎭明
名古屋大学大学院 工学研究科
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谷城 康眞
東工大・理
著作論文
- Si(001)基板上に成長したAl結晶の構造評価
- 14p-DJ-7 Si(001)上のAl薄膜のSTM観察
- ウェーハ積層を用いた三次元高集積化技術(先端電子デバイスパッケージと高密度実装における評価・解析技術論文)
- 32nm世代以降の高信頼多層配線に向けた超薄膜バリア技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- 実デバイス基板を用いたサブ10ミクロン薄化技術の開発(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 実デバイス基板を用いたサブ10ミクロンの薄化技術の開発(SSD,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- NCSを用いた多層配線技術(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 65nm node以降へ向けたNCS/Cu多層配線
- ダマシンコンタクトTSVによる三次元集積化
- 3a-Q-3 Si(hhm)(m/h=1.4-1.5)面のSTM観察
- 3次元LSI集積化技術 (特集 研究開発最前線)
- 3次元積層技術における低温バンプレスTSVプロセス(配線・実装技術と関連材料技術)
- Si貫通ビア(TSV)の側壁ラフネスに起因したリーク電流特性とビア応力の関係(配線・実装技術と関連材料技術)
- Wafer-on-wafer構造における貫通Si電極周辺の局所歪の評価(配線・実装技術と関連材料技術)
- Wafer-on-wafer 構造における貫通Si電極周辺の局所歪の評価
- Si貫通ビア(TSV)の側壁ラフネスに起因したリーク電流特性とビア応力の関係