中塚 理 | 名古屋大学
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概要
関連著者
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中塚 理
名古屋大学
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財満 鎭明
名古屋大学
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財満 鎭明
名古屋大学大学院工学研究科
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坂下 満男
名古屋大学大学院光学研究科
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竹内 和歌奈
名古屋大学大学院光学研究科
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加藤 公彦
名古屋大学大学院工学研究科
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財満 鎭明
名古屋大学大学院 工学研究科
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田岡 紀之
名古屋大学大学院工学研究科
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田岡 紀之
産業技術総合研究所
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財満 鎭明
名古屋大学先端技術共同研究センター
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酒井 朗
大阪大学
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木下 恭一
宇宙航空研究開発機構
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依田 眞一
宇宙航空研究開発機構
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坂下 満男
名古屋大学大学院工学研究科
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小川 正毅
名古屋大学
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山羽 隆
名古屋大学大学院工学研究科
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柴山 茂久
名古屋大学大学院工学研究科
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加藤 公彦
名古屋大学大学院工学研究科:日本学術振興会
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竹内 和歌奈
名古屋大学大学院工学研究科
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依田 眞一
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所(JAXA)
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依田 眞一
(独)宇宙航空研究開発機構
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酒井 朗
名古屋大学工学研究科
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木下 恭一
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部iss科学プロジェクト室
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酒井 朗
名古屋大学
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近藤 博基
名古屋大学大学院工学研究科
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依田 真一
Japan Aerospace Exploration Agency
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依田 真一
宇宙開発事業団宇宙環境利用研究センター
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近藤 博基
名古屋大学大学院光学研究科
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柴山 茂矢
名古屋大学大学院工学研究科
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木下 恭一
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所(JAXA)
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Kondo H
Department Of Biochemical Engineering And Science Kyushu Institute Of Technology
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大場 隆之
東京大学
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水島 賢子
株式会社富士通研究所
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Kondo Hideo
Institute Of Advanced Material Study Graduate School Of Engineering Sciences And Crest Japan Science
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Kondo Hirotomo
Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering Sojo University
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Kondo H
Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering Sojo University
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北田 秀樹
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
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金 永束
東京大学
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中村 友二
株式会社富士通研究所
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北田 秀樹
東京大学
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知京 豊裕
物材機構
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山崎 順
名大エコトピア研
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杉江 尚
名大・院工
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
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松木 武雄
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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角嶋 邦之
東工大総理工
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岩井 洋
東工大フロンティア研
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白石 賢二
筑波大院数物
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中村 友二
富士通研究所
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酒井 朗
大阪大学大学院基礎工学研究科
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中山 恒義
北大院工
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岩井 洋
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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知京 豊裕
金属材料技術研究所
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知京 豊裕
物質材料機構
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安田 幸夫
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所
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大場 隆之
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
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北田 秀樹
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
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中村 友二
(株)富士通研究所
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中山 隆史
千葉大学理学部
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大毛利 健治
早稲田大学
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古田 和也
名古屋大学大学院光学研究科
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山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
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志村 洋介
名古屋大学
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竹内 正太郎
名古屋大学
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田岡 紀之
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻
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望月 省吾
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻
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山崎 順
名大・理工総研
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田中 信夫
名大・理工総研
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中塚 理
名大・理工総研
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大久保 和哉
名大・院工
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酒井 朗
名大・院工
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財満 鎭明
名大・先端研
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安田 幸夫
名大・院工
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中村 友二
株式会社富士通研究所集積材料研究部
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白石 賢二
筑波大学
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中山 隆史
千葉大
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中山 隆史
千葉大学
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中山 隆史
千葉大学理学研究科基盤理学専攻
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知京 豊裕
物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研
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大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構
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岩井 洋
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
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金 永〓
東京大学工学系研究科
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五月女 真一
千葉大学理学研究科基盤理学専攻
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
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中塚 理
名古屋大学大学院光学研究科
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CHIKYOW T.
National Institute of Materials Science
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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岩井 洋
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
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知京 豊裕
物材機構:comet-nims:科技機構戦略
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水島 賢子
富士通研究所
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大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構ナノテクノロジー研究所
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中山 隆史
干葉大理
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松木 武雄
早稲田大学:jst-crest
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角嶋 邦之
東京工業大学
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五月女 真一
千葉大学理学研究料
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山田 啓作
早稲田大学:筑波大学
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町田 義明
千葉大学理学研究料
-
岩井 洋
東京工業大学
-
水島 賢子
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
-
中山 隆史
千葉大学理学研究料
-
中塚 理
名古屋大学大学院工学研究科
-
金 永〓
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
-
竹内 正太郎
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST
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吉田 鉄兵
名古屋大学大学院工学研究科
著作論文
- 原子層堆積法により形成したPrAlOの結晶構造および電気的特性(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- Ge_Sn_xバッファ層上への伸張歪Ge層形成と歪・転位構造制御
- CS-5-2 Si_Ge_X/Si(001)構造における転位および歪の評価と制御技術(CS-5.異種材料融合デバイス技術,シンポジウム)
- 仮想Ge基板上におけるGe_Sn_xバッファ層の歪および転位構造制御
- SOI基板上歪緩和SiGeバッファ層の転位構造とモザイシティ
- Si_Ge_xバッファ層の歪緩和および転位構造制御(Buffer層を中心としたエピタキシーの新展開)
- 22pXB-10 HRTEM, EELS, EDX を用いた Ni/Si 界面反応への添加元素の影響とナノ構造の研究
- Ge表面酸化および窒化処理と High-k ゲートスタック構造形成プロセス
- 次世代ULSIに向けた固相拡散法を用いたSi1-x-yGe[x]Sn[y] on Insulator構造の形成
- ドーピングによるシリサイドの仕事関数の変調 : シリサイドの物理に基づく理論(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- Al_2O_3/Ge構造に対する酸素熱処理の界面特性に及ぼす効果(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Pr酸化膜/Ge構造におけるPrの価数制御に基づく界面反応制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Wafer-on-wafer構造における貫通Si電極周辺の局所歪の評価(配線・実装技術と関連材料技術)
- SiGe基板上へのひずみGeエピタキシャル層成長と結晶物性評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- SiGe基板上へのひずみGeエピタキシャル層成長と結晶物性評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- SiGe基板上へのひずみGeエピタキシャル層成長と結晶物性評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ゲート電極の還元性がGe基板上Pr酸化膜のPr価数に与える影響(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Al_2O_3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- テトラエトキシゲルマニウムによる極薄GeO_2膜の形成(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Al_2O_3/Ge構造における酸化機構の解明と界面反応がその特性に及ぼす影響(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 酸化剤分圧およびSi拡散の制御によるPr酸化膜結晶構造制御(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Wafer-on-wafer 構造における貫通Si電極周辺の局所歪の評価
- SiGe基板上へのひずみGeエピタキシャル層成長と結晶物性評価
- SiGe基板上へのひずみGeエピタキシャル層成長と結晶物性評価
- ゲート電極の還元性がGe基板上Pr酸化膜のPr価数に与える影響
- Al_2O_3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明