Pr酸化膜/Ge構造におけるPrの価数制御に基づく界面反応制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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プラセオジム(Pr)酸化腹/GeおよびPr酸化膜/Pr酸窒化膜/Ge構造において化学結合状態および電気的特性を評価し,Prの価数が界面反応に与える影響を明らかにした.X線光電子分光(XPS)法によるPr_3d_<5/2>およびO1sスペクトルの評価より,PrはPr酸化膜中の深さに応じて異なる価数を有することが見出された.Pr酸化膜/Pr酸窒化膜/Ge構造においては,界面近傍に金属的なPr-Pr結合が形成されることで,界面への酸素供給やそれに伴う界面層形成が抑制される.一方,O_2雰囲気中熱処理を施した試料では,c-Pr_2O_3膜中および界面の欠陥が終端され,4価のPrを有するc-PrO_2が形成される.Pr酸化膜/Pr酸窒化膜/Ge構造においては,H_2雰囲気中熱処理によって界面準位密度が減少し,4×10^<11>eV^<-1>cm^<-2>の低界面単位密度を達成した.
- 2011-06-27
著者
-
財満 鎭明
名古屋大学大学院工学研究科
-
加藤 公彦
名古屋大学大学院工学研究科
-
坂下 満男
名古屋大学大学院工学研究科
-
中塚 理
名古屋大学
-
竹内 和歌奈
名古屋大学大学院光学研究科
-
坂下 満男
名古屋大学大学院光学研究科
-
財満 鎭明
名古屋大学
-
加藤 公彦
名古屋大学大学院工学研究科:日本学術振興会
-
竹内 和歌奈
名古屋大学大学院工学研究科
-
財満 鎭明
名古屋大学大学院 工学研究科
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