AlO/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明 (シリコン材料・デバイス)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2012-06-21

著者

• 加藤 公彦

  名古屋大学大学院工学研究科

関連論文

• 124) 冠動脈血栓における炎症性サイトカイン値の上昇
• 携帯型血中乳酸濃度測定器(ラクテートプロ ^)を用いた乳酸閾値(LT)測定の試み : 糖尿病運動処方作成における有用性
• 効用(utility)測定による糖尿病性状態のQOL(quality of life)評価
• ラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造制御(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Al_2O_3/Ge構造に対する酸素熱処理の界面特性に及ぼす効果(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Pr酸化膜/Ge構造におけるPrの価数制御に基づく界面反応制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• ゲート電極の還元性がGe基板上Pr酸化膜のPr価数に与える影響 (シリコン材料・デバイス)
• AlO/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明 (シリコン材料・デバイス)
• ゲート電極の還元性がGe基板上Pr酸化膜のPr価数に与える影響(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Al_2O_3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• テトラエトキシゲルマニウムによる極薄GeO_2膜の形成(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Al_2O_3/Ge構造における酸化機構の解明と界面反応がその特性に及ぼす影響(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 酸化剤分圧およびSi拡散の制御によるPr酸化膜結晶構造制御(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• ゲート電極の還元性がGe基板上Pr酸化膜のPr価数に与える影響
• Al_2O_3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク