Al_2O_3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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高駆動力Ge MOSFETの実現には,低界面準位密度(D_<it>)かつ低SiO_2換算膜厚を有するhigh-k絶縁膜/Ge構造を形成することが極めて重要である.現在,Al_2O_3/Ge構造に対するプラズマ酸素処理によって,極薄界面層においても低D_<it>を実現できると報告されている.しかしながら,Al_2O_3/Ge構造に対する酸素処理で,どのような構造が形成され,D_<it>の低減を可能としているかは明らかになっていない.本研究では,Al_2O_3/Ge構造に対してO_2熱処理およびOラジカル処理を施し,それぞれの界面反応メカニズムの解明を試みた.Al_2O_3/Ge構造に対するO_2熱処理では,外部からAl_2O_3/Ge界面への酸素供給はほとんどなく,GeはGe基板からAl_2O_3膜表面へ拡散した.その結果,Al_2O_3表面近傍において酸化が進行し,Al_2O_3/Ge界面で界面層の膜厚増加は,ほとんど起きなかった.一方,Al_2O_3/Ge構造に対するOラジカル処理では,Al_2O_3/Ge界面へのOの供給により,Al_2O_3/Ge界面付近でGeの酸化が進行した.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-06-14
著者
-
加藤 公彦
名古屋大学大学院工学研究科
-
中塚 理
名古屋大学
-
竹内 和歌奈
名古屋大学大学院光学研究科
-
田岡 紀之
産業技術総合研究所
-
坂下 満男
名古屋大学大学院光学研究科
-
財満 鎭明
名古屋大学
-
加藤 公彦
名古屋大学大学院工学研究科:日本学術振興会
-
竹内 和歌奈
名古屋大学大学院工学研究科
-
柴山 茂矢
名古屋大学大学院工学研究科
-
中塚 理
名古屋大学大学院工学研究科
-
田岡 紀之
名古屋大学大学院工学研究科
-
柴山 茂久
名古屋大学大学院工学研究科
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