Al₂O₃/Ge構造における酸化機構の解明と界面反応がその特性に及ぼす影響 (シリコン材料・デバイス)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 電子情報通信学会の論文
- 2013-06-18
著者
関連論文
- Al_2O_3/Ge構造に対する酸素熱処理の界面特性に及ぼす効果(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Al_2O_3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- テトラエトキシゲルマニウムによる極薄GeO₂膜の形成 (シリコン材料・デバイス)
- Al₂O₃/Ge構造における酸化機構の解明と界面反応がその特性に及ぼす影響 (シリコン材料・デバイス)
- テトラエトキシゲルマニウムによる極薄GeO_2膜の形成(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Al_2O_3/Ge構造における酸化機構の解明と界面反応がその特性に及ぼす影響(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Al_2O_3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明