テトラエトキシゲルマニウムによる極薄GeO_2膜の形成(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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高い駆動力を持つ立体GeチャネルMOSFETの実現には,良好な界面特性を持つhigh-kゲート絶縁膜/Ge構造の形成,および均一な厚さのゲート絶縁膜の形成が必要である.GeO_2は,high-kゲート絶縁膜/Ge構造の界面層として期待されていることから、ALDによる極薄GeO_2膜形成を試みた。ALDプロセスにおいて、TEOGの加水分解による化学量論的な極薄GeO_2膜の形成に成功した。また、Ge基板表面をほとんど酸化することなく、GeO_2膜を形成可能であることが明らかとなった。この結果は、EOT低減および立体構造Geチャネルに、本プロセスが非常に有効であることを示している。また、GeO_2膜の基板表面依存性から、GeO_2膜の初期成長メカニズムを明らかにした.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-06-11
著者
-
加藤 公彦
名古屋大学大学院工学研究科
-
中塚 理
名古屋大学
-
竹内 和歌奈
名古屋大学大学院光学研究科
-
田岡 紀之
産業技術総合研究所
-
坂下 満男
名古屋大学大学院光学研究科
-
財満 鎭明
名古屋大学
-
柴山 茂矢
名古屋大学大学院工学研究科
-
田岡 紀之
名古屋大学大学院工学研究科
-
柴山 茂久
名古屋大学大学院工学研究科
-
吉田 鉄兵
名古屋大学大学院工学研究科
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