田岡 紀之 | 名古屋大学大学院工学研究科

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概要

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関連著者

• 中塚 理

  名古屋大学

• 財満 鎭明

  名古屋大学

• 田岡 紀之

  名古屋大学大学院工学研究科

• 加藤 公彦

  名古屋大学大学院工学研究科

• 竹内 和歌奈

  名古屋大学大学院光学研究科

• 坂下 満男

  名古屋大学大学院光学研究科

• 田岡 紀之

  産業技術総合研究所

• 柴山 茂久

  名古屋大学大学院工学研究科

• 加藤 公彦

  名古屋大学大学院工学研究科:日本学術振興会

• 竹内 和歌奈

  名古屋大学大学院工学研究科

• 柴山 茂矢

  名古屋大学大学院工学研究科

• 酒井 朗

  名古屋大学工学研究科

• 財満 鎭明

  名古屋大学大学院工学研究科

• 酒井 朗

  大阪大学

• 酒井 朗

  名古屋大学

• 坂下 満男

  名古屋大学大学院工学研究科

• 小川 正毅

  名古屋大学

• 田岡 紀之

  名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻

• 望月 省吾

  名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻

• 財満 鎭明

  名古屋大学先端技術共同研究センター

• 中塚 理

  名古屋大学大学院工学研究科

• 財満 鎭明

  名古屋大学大学院 工学研究科

• 吉田 鉄兵

  名古屋大学大学院工学研究科

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著作論文

• Si_Ge_xバッファ層の歪緩和および転位構造制御(Buffer層を中心としたエピタキシーの新展開)
• ゲート電極の還元性がGe基板上Pr酸化膜のPr価数に与える影響(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Al_2O_3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• テトラエトキシゲルマニウムによる極薄GeO_2膜の形成(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Al_2O_3/Ge構造における酸化機構の解明と界面反応がその特性に及ぼす影響(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 酸化剤分圧およびSi拡散の制御によるPr酸化膜結晶構造制御(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• ゲート電極の還元性がGe基板上Pr酸化膜のPr価数に与える影響
• Al_2O_3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明

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