坂下 満男 | 名古屋大学大学院光学研究科

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概要

• 同名の論文著者
• 名古屋大学大学院光学研究科の論文著者

関連著者

• 坂下 満男

  名古屋大学大学院光学研究科

• 財満 鎭明

  名古屋大学

• 坂下 満男

  名古屋大学大学院工学研究科

• 財満 鎭明

  名古屋大学大学院工学研究科

• 中塚 理

  名古屋大学

• 財満 鎭明

  名古屋大学大学院 工学研究科

• 加藤 公彦

  名古屋大学大学院工学研究科

• 竹内 和歌奈

  名古屋大学大学院光学研究科

• 財満 鎭明

  名古屋大学先端技術共同研究センター

• 近藤 博基

  名古屋大学大学院工学研究科

• 田岡 紀之

  名古屋大学大学院工学研究科

• 近藤 博基

  名古屋大学大学院光学研究科

• 酒井 朗

  名古屋大学工学研究科

• 酒井 朗

  大阪大学

• 酒井 朗

  名古屋大学

• Kondo H

  Department Of Biochemical Engineering And Science Kyushu Institute Of Technology

• 田岡 紀之

  産業技術総合研究所

• Kondo Hideo

  Institute Of Advanced Material Study Graduate School Of Engineering Sciences And Crest Japan Science

• Kondo Hirotomo

  Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering Sojo University

• Kondo H

  Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering Sojo University

• 加藤 公彦

  名古屋大学大学院工学研究科:日本学術振興会

• 柴山 茂久

  名古屋大学大学院工学研究科

• 小川 正毅

  名古屋大学

• 竹内 和歌奈

  名古屋大学大学院工学研究科

• 世古 明義

  名古屋大学

• 柴山 茂矢

  名古屋大学大学院工学研究科

• 安田 幸夫

  名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所

• 古田 和也

  名古屋大学大学院光学研究科

• 佐合 寿文

  名古屋大学大学院工学研究科

• 安田 幸夫

  名古屋大学工学部

• 加藤 公彦

  名古屋大学総合保健体育科学センター

• 鬼頭 伸幸

  名古屋大学大学院工学研究科

• 藤塚 良太

  名古屋大学大学院工学研究科

• 松井 裕高

  名古屋大学大学院工学研究科

• 加藤 亮祐

  名古屋大学大学院工学研究科

• 京極 真也

  名古屋大学大学院工学研究科

• Ikeda H

  National Laboratory For High Energy Physics

• 安田 幸夫

  名古屋大学

• 中塚 理

  名古屋大学大学院光学研究科

• 池田 浩也

  名古屋大学

• 後藤 覚

  名古屋大学

• 本多 一隆

  名古屋大学

• 財満 鎮明

  名古屋大学

• 藤塚 良太

  名古屋大学大学院工学研究科:(現)東芝セミコンダクター社

• 古田 和也

  名古屋大学大学院工学研究科

• 中塚 理

  名古屋大学大学院工学研究科

• 吉田 鉄兵

  名古屋大学大学院工学研究科

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著作論文

• Pr(EtCp)_3を用いた原子層堆積法によるPr酸化膜の形成(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 原子層堆積法により形成したPrAlOの結晶構造および電気的特性(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• La_2O_3-Al_2O_3複合膜における定電圧ストレス印加時の局所的な電荷捕獲とその放出過程(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 電流検出型原子間力顕微鏡法を用いた極薄ゲート絶縁膜の信頼性評価(ナノテクノロジー時代の故障解析技術と解析ツール)
• 電流検出型原子間力顕微鏡を用いたLa_2O_3-Al_2O_3複合膜の局所リーク電流評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• Ge基板上へのPr酸化膜の作製と評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• ラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造制御(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• LaAlO/Ge構造へのALD-Al_2O_3界面制御層挿入の効果(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Ge表面酸化および窒化処理と High-k ゲートスタック構造形成プロセス
• Pr(EtCp)3を用いた原子層成長法によるPr酸化膜の作製とその電気的特性 (小特集 真空を利用した材料プロセスの新展開--化学気相成長から原子層成長へ)
• パルスレーザー蒸着法による高誘電率薄膜の作製と電気的特性
• Fowler-Nordheim注入によるMOS特性の劣化
• Pr(EtCp)_3を用いた原子層成長法によるPr酸化膜の作製とその電気的特性
• Al_2O_3/Ge構造に対する酸素熱処理の界面特性に及ぼす効果(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Pr酸化膜/Ge構造におけるPrの価数制御に基づく界面反応制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• ゲート電極の還元性がGe基板上Pr酸化膜のPr価数に与える影響(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Al_2O_3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• テトラエトキシゲルマニウムによる極薄GeO_2膜の形成(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Al_2O_3/Ge構造における酸化機構の解明と界面反応がその特性に及ぼす影響(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 酸化剤分圧およびSi拡散の制御によるPr酸化膜結晶構造制御(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• ゲート電極の還元性がGe基板上Pr酸化膜のPr価数に与える影響
• Al_2O_3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明

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