安田 幸夫 | 名古屋大学工学部
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
安田 幸夫
名古屋大学工学部
-
安田 幸夫
名古屋大学
-
安田 幸夫
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所
-
財満 鎭明
名古屋大学大学院工学研究科
-
財満 鎭明
名古屋大学
-
酒井 朗
名古屋大学工学研究科
-
安田 幸夫
豊橋技科大
-
酒井 朗
大阪大学
-
酒井 朗
名古屋大学
-
財満 鎭明
名古屋大学先端技術共同研究センター
-
池田 浩也
名古屋大学
-
中村 哲郎
豊橋技術科学大学工学部電気電子工学系
-
中村 哲郎
豊橋技術科学大学電機電子工学系
-
近藤 博基
名古屋大学大学院工学研究科
-
Kondo H
Department Of Biochemical Engineering And Science Kyushu Institute Of Technology
-
近藤 博基
名古屋大学大学院光学研究科
-
中村 哲郎
豊橋技術科学大学
-
Kondo Hideo
Institute Of Advanced Material Study Graduate School Of Engineering Sciences And Crest Japan Science
-
Kondo Hirotomo
Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering Sojo University
-
Kondo H
Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering Sojo University
-
中村 哲郎
豊橋技科大
-
朴 康司
豊橋技科大
-
渡辺 行彦
豊田中央研究所
-
世古 明義
名古屋大学
-
渡辺 行彦
(株)豊田中央研究所
-
吉田 明
豊橋技科大
-
安田 幸夫
名古屋大学大学院工学研究科
-
吉井 俊夫
東芝総合研究所
-
財満 鎮明
名古屋大学
-
泉川 健太
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻
-
山本 恵彦
独立行政法人産業技術総合研究所 中央第2エレクトロニクス研究部門
-
石田 誠
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
大山 英典
豊橋技術科学大学電機電子工学系
-
若松 英利
豊橋技術科学大学電機電子工学系
-
阿部 浩
豊橋技術科学大学電機電子工学系
-
今井 公正
豊橋技科大
-
山田 浩之
豊橋技科大
-
岡崎 祐二
豊橋技科大
-
福原 裕明
豊橋技科大
-
佐藤 和重
豊橋技科大
-
西永 頌
東大工
-
西永 頌
豊橋技科大
-
数野 忠雄
住友金属鉱山
-
反保 敏治
豊橋技科大
-
小出 二郎
豊橋技科大
-
石田 誠
豊橋技術科学大学
-
田中 信夫
名古屋大学
-
吉原 一紘
物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
-
吉森 昭夫
岡山理科大学
-
坂下 満男
名古屋大学大学院工学研究科
-
魚住 清彦
青山学院大学理工学部
-
河合 圭吾
名古屋大学大学院工学研究科
-
宮崎 香代子
名古屋大学大学院工学研究科
-
松下 嘉明
(株)東芝セラミックスシリコン事業部
-
坂下 満男
名古屋大学大学院光学研究科
-
河合 圭吾
名古屋大学大学院工学研究科:(現)necエレクトロニクス株式会社
-
吉森 昭夫
日本真空協会
-
吉森 昭夫
岡山理科大学総合情報学部コンピュータシミュレーション学科
-
山本 恵彦
筑波大学
-
高須 新一郎
東芝総合研究所
-
安田 幸夫
東芝総合研究所
-
松下 嘉明
東芝総合研究所
-
吉森 昭夫
岡山理科大学 工学部
-
Ikeda H
National Laboratory For High Energy Physics
-
財満 鋼明
名古屋大学先端技術共同研究センター
-
山本 恵彦
筑波大学物理工学系
-
安田 幸夫
豊橋技術科学大学
-
安田 幸夫
東芝総研
-
吉井 俊夫
東芝総研
-
後藤 覚
名古屋大学
-
本多 一隆
名古屋大学
-
池上 浩
名古屋大学
-
吉原 一紘
物質・材料研究機構材料研究所
-
高須 新一郎
Semi
-
山本 恵彦
筑波大学・物理工学系
-
吉原 一紘
物質・材料研究機構
-
大山 英典
豊橋技術科学大学
著作論文
- アモルファスSiバッファ層を用いたサファイア基板上へのSiヘテロエピタキシャル成長とその特性
- TMIを用いたInPのMOCVD成長 : エピタキシー
- ミスオリエンテーション基板上へのGaP液相成長表面波模様と非発光領域
- GaP液相エピキシャル成長時におけるマクロステップの振舞 : エピタキシー
- 電子注入ストレスを加えたゲート酸化膜の電流検出型原子間力顕微鏡による解析(電子材料)
- 電流検出型原子間力顕微鏡を用いたゲート絶縁膜の局所リーク電流評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 電子注入ストレスを加えたゲート酸化膜の電流検出型原子間力顕微鏡による解析 : ゲート絶縁膜劣化機構の微視的評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- ラジカル窒化過程におけるエネルギーバンドギャップ形成機構のSTM/STS解析(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- IUVSTAだより
- ヘテロエピタキシアル成長層の結晶学的キヤラクタリゼイション : エピタクシー
- シリサイドの固相成長
- Ge on Si(ICVGE-7(第7回気相成長・エピタキシー国際会議))
- サファイア上のシリコン単結晶膜の製法と性質
- サファイア上のシリコン単結晶膜の製法と性質 : 招待講演
- パルスレーザー蒸着法による高誘電率薄膜の作製と電気的特性
- ヘテロエピタキシャル成長における歪緩和と貫通転位の低減 : Si(001)基板上の高品質Si_Ge_x歪緩和層の成長(バルク成長分科会特集 : 結晶成長の科学と技術)
- 超微細化に向けたULSI薄膜技術
- 金属/半導体界面反応の STEM による原子直視観察
- シリコン表面の初期酸化と水素
- 集束イオンビームを用いたナノチャネルMOSFETの作製とクーロンブロッケード現象
- 集束イオンビームを用いたナノチャネルMOSFETの作製とクーロンブロッケード現象
- 水素終端シリコン表面の酸化と水素の役割
- シリコン酸化膜の局所構造緩和過程の研究
- 水素終端シリコン(100)表面の酸化初期過程
- Si表面上のエピタキシャルシリサイドの熱的挙動
- 水素終端シリコン表面の初期酸化過程と局所構造
- シリサイド化反応とコンタクト特性
- 薄膜技術が開く未来
- 真の科学技術立国を目指して