高須 新一郎 | Semi
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概要
関連著者
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高須 新一郎
Semi
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高須 新一郎
東芝・総研
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高須 新一郎
東芝総合研究所
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安田 幸夫
名古屋大学工学部
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安田 幸夫
豊橋技科大
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松下 嘉明
(株)東芝セラミックスシリコン事業部
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安田 幸夫
東芝総合研究所
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松下 嘉明
東芝総合研究所
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高須 新一郎
東京芝浦電気(株)中央研究所
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高須 新一郎
東芝総研
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安阿彌 繁
東芝総研 東芝トランジスタ
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荻野 正信
東芝総研 東芝トランジスタ
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高須 新一郎
東芝総研 東芝トランジスタ
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白木 健一
日電・中研
著作論文
- ヘテロエピタキシアル成長層の結晶学的キヤラクタリゼイション : エピタクシー
- 結晶の大口径化の可能性と問題点--Si,GaP,LiTaO3などのデバイス用結晶はどこまで大きくできるか (半導体と電子材料の中期展望) -- (半導体)
- 超格子・人工超格子(ことばの泉)
- 電子工業用単結晶の大型化とその問題点 : 招待講演
- Growth and Process Induced Defects in Si Crystals(Growth and Characterization of Silicon Crystals)
- Growth and Process Induced Defects in Si Cristals
- 無転位シリコン単結晶のswirl欠陥のX線トポグラフィー
- ガーネット
- LEC
- 映画
- 科学展示裏話
- 結晶成長の問題点
- 高圧実験における安全対策
- 人造ダイヤモンドの結晶的性質と半導体としての期待 (ダイヤモンド(特集))