安田 幸夫 | 豊橋技科大
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概要
関連著者
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安田 幸夫
豊橋技科大
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安田 幸夫
名古屋大学工学部
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中村 哲郎
豊橋技科大
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中村 哲郎
豊橋技術科学大学工学部電気電子工学系
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中村 哲郎
豊橋技術科学大学電機電子工学系
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中村 哲郎
豊橋技術科学大学
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朴 康司
豊橋技科大
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安田 幸夫
名古屋大学
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吉田 明
豊橋技科大
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石田 誠
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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大山 英典
豊橋技術科学大学電機電子工学系
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若松 英利
豊橋技術科学大学電機電子工学系
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阿部 浩
豊橋技術科学大学電機電子工学系
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今井 公正
豊橋技科大
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山田 浩之
豊橋技科大
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岡崎 祐二
豊橋技科大
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福原 裕明
豊橋技科大
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佐藤 和重
豊橋技科大
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西永 頌
東大工
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西永 頌
豊橋技科大
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数野 忠雄
住友金属鉱山
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反保 敏治
豊橋技科大
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小出 二郎
豊橋技科大
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並木 章
豊橋技科大
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石田 誠
豊橋技術科学大学
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安田 幸夫
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所
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松下 嘉明
(株)東芝セラミックスシリコン事業部
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高須 新一郎
東芝総合研究所
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安田 幸夫
東芝総合研究所
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松下 嘉明
東芝総合研究所
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財満 鋼明
名古屋大学先端技術共同研究センター
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川合 孝明
豊橋技科大
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吉井 俊夫
東芝総合研究所
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安田 幸夫
豊橋技術科学大学
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市毛 健志
豊橋技科大
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高須 新一郎
Semi
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大山 英典
豊橋技術科学大学
著作論文
- アモルファスSiバッファ層を用いたサファイア基板上へのSiヘテロエピタキシャル成長とその特性
- TMIを用いたInPのMOCVD成長 : エピタキシー
- ミスオリエンテーション基板上へのGaP液相成長表面波模様と非発光領域
- GaP液相エピキシャル成長時におけるマクロステップの振舞 : エピタキシー
- ヘテロエピタキシアル成長層の結晶学的キヤラクタリゼイション : エピタクシー
- シリサイドの固相成長
- Ge on Si(ICVGE-7(第7回気相成長・エピタキシー国際会議))
- サファイア上のシリコン単結晶膜の製法と性質
- 3a-A1-10 CdS表面からのレーザー誘起脱離粒子の角度依存性(3a A1 表面・界面,量子エレクトロニクス)