ラジカル窒化過程におけるエネルギーバンドギャップ形成機構のSTM/STS解析(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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次世代ゲート絶縁膜として期待されるシリコン窒化膜について、ラジカル窒化法における初期成膜過程をSTMならびにSTSによって解析した。ラジカル窒化過程では、成膜様式(層状成長または島状成長)は窒化種に依存せず、成膜温度のみに依存するが、エネルギーバンドギャップはラジカルガンの高周波電源電力の変化に伴う窒化種の変化に強く依存することがわかった。原子レベルで平坦で、大きなエネルギーバンドギャップを持つラジカル窒化膜の形成には、窒化種の制御が重要であることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-06-14
著者
-
酒井 朗
名古屋大学工学研究科
-
安田 幸夫
名古屋大学工学部
-
財満 鎭明
名古屋大学大学院工学研究科
-
酒井 朗
大阪大学
-
酒井 朗
名古屋大学
-
安田 幸夫
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所
-
近藤 博基
名古屋大学大学院工学研究科
-
Kondo H
Department Of Biochemical Engineering And Science Kyushu Institute Of Technology
-
河合 圭吾
名古屋大学大学院工学研究科
-
宮崎 香代子
名古屋大学大学院工学研究科
-
河合 圭吾
名古屋大学大学院工学研究科:(現)necエレクトロニクス株式会社
-
財満 鎭明
名古屋大学先端技術共同研究センター
-
近藤 博基
名古屋大学大学院光学研究科
-
安田 幸夫
名古屋大学
-
Kondo Hideo
Institute Of Advanced Material Study Graduate School Of Engineering Sciences And Crest Japan Science
-
Kondo Hirotomo
Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering Sojo University
-
Kondo H
Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering Sojo University
-
財満 鎭明
名古屋大学
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