SOI基板上歪緩和SiGeバッファ層の転位構造とモザイシティ

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• We have grown thin strain-relaxed SiGe buffer layers on silicon-on-insulator (SOI) substrates with pure-edge dislocation network at the SiGe/SOI interface. Dislocation morphology and crystalline mosaicity of the SiGe layers have been analyzed by X-ray diffraction two-dimensional reciprocal space mapping and transmission electron microscopy. It was found that dislocation propagation at the SiGe/SOI interface and resultant crystalline mosaicity of the SiGe layer are critically dependent on the thickness of SOI layer. Image force exerted on the dislocations accounts for this SOI thickness dependence.

• 社団法人 電気学会の論文
• 2006-09-01

著者

• 酒井 朗

  名古屋大学工学研究科

• 財満 鎭明

  名古屋大学大学院工学研究科

• 酒井 朗

  大阪大学

• 酒井 朗

  名古屋大学

• 中塚 理

  名古屋大学

• 小川 正毅

  名古屋大学

• 田岡 紀之

  産業技術総合研究所

• 財満 鎭明

  名古屋大学先端技術共同研究センター

• 財満 鎭明

  名古屋大学

• 財満 鎭明

  名古屋大学大学院 工学研究科

関連論文

• MOCVD法によるPr酸化膜の作製およびその電気的特性評価(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
• フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価
• Pr(EtCp)_3を用いた原子層堆積法によるPr酸化膜の形成(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 第51回応用物理学関係連合講演会(2004年)
• 結晶工学と分析・評価
• 結晶成長技術
• 原子層堆積法により形成したPrAlOの結晶構造および電気的特性(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• La_2O_3-Al_2O_3複合膜における定電圧ストレス印加時の局所的な電荷捕獲とその放出過程(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 電流検出型原子間力顕微鏡法を用いた極薄ゲート絶縁膜の信頼性評価(ナノテクノロジー時代の故障解析技術と解析ツール)
• 電流検出型原子間力顕微鏡を用いたLa_2O_3-Al_2O_3複合膜の局所リーク電流評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• 電子注入ストレスを加えたゲート酸化膜の電流検出型原子間力顕微鏡による解析(電子材料)
• 電流検出型原子間力顕微鏡を用いたゲート絶縁膜の局所リーク電流評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 電子注入ストレスを加えたゲート酸化膜の電流検出型原子間力顕微鏡による解析 : ゲート絶縁膜劣化機構の微視的評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Ge_Sn_xバッファ層上への伸張歪Ge層形成と歪・転位構造制御
• シリコン表面の窒化初期過程とエネルギーバンドギャップの形成
• CS-5-2 Si_Ge_X/Si(001)構造における転位および歪の評価と制御技術(CS-5.異種材料融合デバイス技術,シンポジウム)
• Ge基板上へのPr酸化膜の作製と評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• 仮想Ge基板上におけるGe_Sn_xバッファ層の歪および転位構造制御
• SOI基板上歪緩和SiGeバッファ層の転位構造とモザイシティ
• 次世代シリコンULSIに向けたIV族系半導体ヘテロ界面のひずみと転位の制御技術と評価
• Si_Ge_xバッファ層の歪緩和および転位構造制御(Buffer層を中心としたエピタキシーの新展開)
• ラジカル窒化過程におけるエネルギーバンドギャップ形成機構のSTM/STS解析(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 22pXB-10 HRTEM, EELS, EDX を用いた Ni/Si 界面反応への添加元素の影響とナノ構造の研究
• IV族半導体SiGe(C)ヘテロ構造素子の新展開
• 「IV族系半導体結晶・混晶の新たなる展開」小特集にあたって(小特集序文)
• 選択横方向エピタキシャル成長により形成した GaN 膜中の転位構造
• 特別記事 SiGe技術の最新研究動向
• ラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造制御(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• LaAlO/Ge構造へのALD-Al_2O_3界面制御層挿入の効果(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Ge表面酸化および窒化処理と High-k ゲートスタック構造形成プロセス
• 超高密度・極微細シリコンナノドットの形成技術とメモリ特性 (特集1 次世代不揮発メモリーの開発・高集積化とその市場)
• シリコンナノテクノロジー(ナノテクノロジー)
• フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
• フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価
• エピタキシャル成長技術の進展を振り返って(第5章 最近10年の結晶成長の動き,日本結晶成長学会創立30周年記念)
• Si基板上SiGe薄膜の歪と欠陥の制御
• Pr(EtCp)3を用いた原子層成長法によるPr酸化膜の作製とその電気的特性 (小特集 真空を利用した材料プロセスの新展開--化学気相成長から原子層成長へ)
• 22aB7 FIELO技術を用いたGaN結晶の低転位化(気相成長II)
• パルスレーザー蒸着法による高誘電率薄膜の作製と電気的特性
• 中エネルギ-イオン散乱法を用いたシリサイド/シリコン界面の構造解析
• 特集号編集にあたって
• ヘテロエピタキシャル成長における歪緩和と貫通転位の低減 : Si(001)基板上の高品質Si_Ge_x歪緩和層の成長(バルク成長分科会特集 : 結晶成長の科学と技術)
• 超微細化に向けたULSI薄膜技術
• 金属/半導体界面反応の STEM による原子直視観察
• 総合報告 シリコンLSI新材料技術の現状と課題--フロントエンドプロセス
• 固相エピタキシー法によるSi(111)表面上のGe3次元島のコースニング過程 : エピタキシャル成長IV
• シリコン表面の初期酸化と水素
• 集束イオンビームを用いたナノチャネルMOSFETの作製とクーロンブロッケード現象
• 集束イオンビームを用いたナノチャネルMOSFETの作製とクーロンブロッケード現象
• 水素終端シリコン表面の酸化と水素の役割
• シリコン酸化膜の局所構造緩和過程の研究
• 水素終端シリコン(100)表面の酸化初期過程
• Si表面上のエピタキシャルシリサイドの熱的挙動
• 水素終端シリコン表面の初期酸化過程と局所構造
• 水素終端シリコン表面の初期酸化過程
• シリサイド化反応とコンタクト特性
• サマリー・アブストラクト
• 次世代ULSIに向けた固相拡散法を用いたSi1-x-yGe[x]Sn[y] on Insulator構造の形成
• 選択横方向成長によって形成されたGaN膜中の転位構造
• Pr(EtCp)_3を用いた原子層成長法によるPr酸化膜の作製とその電気的特性
• ドーピングによるシリサイドの仕事関数の変調 : シリサイドの物理に基づく理論(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 金属/シリコン界面におけるシリサイド形成と低抵抗コンタクト
• Al_2O_3/Ge構造に対する酸素熱処理の界面特性に及ぼす効果(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Pr酸化膜/Ge構造におけるPrの価数制御に基づく界面反応制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• リサーチ・ナビ 特定領域研究 シリコンナノエレクトロニクスの新展開--ポストスケーリングテクノロジー
• ポストスケーリング技術の現状と期待される新展開
• Wafer-on-wafer構造における貫通Si電極周辺の局所歪の評価(配線・実装技術と関連材料技術)
• SiGe基板上へのひずみGeエピタキシャル層成長と結晶物性評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• SiGe基板上へのひずみGeエピタキシャル層成長と結晶物性評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• SiGe基板上へのひずみGeエピタキシャル層成長と結晶物性評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOCVD法によるPr酸化膜の作製およびその電気的特性評価
• ゲート電極の還元性がGe基板上Pr酸化膜のPr価数に与える影響(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Al_2O_3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• テトラエトキシゲルマニウムによる極薄GeO_2膜の形成(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Al_2O_3/Ge構造における酸化機構の解明と界面反応がその特性に及ぼす影響(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 酸化剤分圧およびSi拡散の制御によるPr酸化膜結晶構造制御(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Wafer-on-wafer 構造における貫通Si電極周辺の局所歪の評価
• SiGe基板上へのひずみGeエピタキシャル層成長と結晶物性評価
• SiGe基板上へのひずみGeエピタキシャル層成長と結晶物性評価
• ゲート電極の還元性がGe基板上Pr酸化膜のPr価数に与える影響
• Al_2O_3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク