財満 鎭明 | 名古屋大学先端技術共同研究センター

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概要

• 同名の論文著者
• 名古屋大学先端技術共同研究センターの論文著者

関連著者

• 財満 鎭明

  名古屋大学先端技術共同研究センター

• 財満 鎭明

  名古屋大学大学院工学研究科

• 酒井 朗

  大阪大学

• 酒井 朗

  名古屋大学工学研究科

• 酒井 朗

  名古屋大学

• 近藤 博基

  名古屋大学大学院工学研究科

• Kondo H

  Department Of Biochemical Engineering And Science Kyushu Institute Of Technology

• 近藤 博基

  名古屋大学大学院光学研究科

• 小川 正毅

  名古屋大学

• 安田 幸夫

  名古屋大学

• 安田 幸夫

  名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所

• 坂下 満男

  名古屋大学大学院工学研究科

• 坂下 満男

  名古屋大学大学院光学研究科

• 安田 幸夫

  名古屋大学工学部

• 中塚 理

  名古屋大学

• 世古 明義

  名古屋大学

• 渡辺 行彦

  豊田中央研究所

• 渡辺 行彦

  (株)豊田中央研究所

• 酒井 朗

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 佐合 寿文

  名古屋大学大学院工学研究科

• 田岡 紀之

  産業技術総合研究所

• 美馬 宏司

  大阪市立大学

• 知京 豊裕

  物材機構

• 山下 学

  日立製作所 デバイス開発センター

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構

• 大坂 次郎

  Nttフォトニクス研究所

• 堀 勝

  名古屋大学

• 大島 義文

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 草野 英二

  金沢工業大学

• 井口 征夫

  川崎製鉄(株)技術研究所

• 鈴木 一弘

  川崎製鉄(株)技術研究所

• 吉越 章隆

  日本原子力研究所・関西研究所・放射光科学研究センター

• 田中 虔一

  埼玉工業大学大学院工学研究科

• 水谷 五郎

  北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科

• 松木 武雄

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 木村 康男

  東北大学電気通信研究所

• 庭野 道夫

  東北大学電気通信研究所

• 麻蒔 立男

  東京理科大学・工学部

• 永井 稔

  北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科

• 富取 正彦

  北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科

• 笠原 章

  金属材料技術研究所

• 吉原 一紘

  金属材料技術研究所

• 加藤 公彦

  名古屋大学総合保健体育科学センター

• 石川 順三

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻

• 荒木 康弘

  静大電子研

• 角嶋 邦之

  東工大総理工

• 岩井 洋

  東工大フロンティア研

• 加藤 公彦

  名古屋大学大学院工学研究科

• 北島 正弘

  金属材料技術研究所

• 白石 賢二

  筑波大院数物

• 加地 博子

  岡山理科大学工学部

• 吉森 昭夫

  岡山理科大学

• 土佐 正弘

  金属材料技術研究所

• 山本 節夫

  山口大学工学部

• 栗巣 普揮

  山口大学工学部

• 松浦 満

  山口大学工学部

• 久松 広美

  高エネルギー加速器研究機構

• 金澤 健一

  高エネルギー加速器研究機構

• 末次 祐介

  高エネルギー加速器研究機構

• 嶋本 真幸

  高エネルギー加速器研究機構

• 白井 満

  高エネルギー加速器研究機構

• 西脇 みちる

  総合研究大学院大学数物科学研究科

• 佐藤 政行

  高エネルギー加速器研究機構

• 山本 顕弘

  総合研究大学院大学数物科学研究科

• 竹内 孝江

  奈良女子大学

• 木内 正人

  大阪工業技術研究所

• 美本 和彦

  大阪大学大学院工学研究科超高温理工学研究施設

• 松本 貴士

  大阪大学大学院工学研究科超高温理工学研究施設

• 中山 恒義

  北大院工

• 魯 大凌

  東京工業大学資源化学研究所, CREST

• 戸坂 亜希

  学習院大学理学部

• 五十嵐 慎一

  学習院大学理学部

• 平山 孝人

  学習院大学理学部

• 井口 大介

  学習院大学理学部

• 岩井 洋

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 知京 豊裕

  金属材料技術研究所

• 和佐 清孝

  横浜市立大学理学部

• 麻蒔 立男

  東京理科大学工学部・電気工学科

• 菊地 直人

  金沢工業大学AMS R&D C

• 福島 和宏

  金沢工業大学 AMS R&D C

• 池田 佳広

  金沢工業大学AMS R & D C

• 彩木 傑

  金沢工業大学AMS R & D C

• 佐野 睦

  日本原子力研究所

• 板倉 明子

  金属材料技術研究所

• 市川 昌和

  アトムテクノロジー研究体

• 佐藤 弘子

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻

• 中川 行人

  アネルバ株式会社装置事業部第一製品技術グループ

• 知京 豊裕

  物質材料機構

• 堀 勝

  名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻

• 関川 健太郎

  埼玉大学

• 高橋 善和

  日本真空技術株式会社筑波超材料研究所

• 南戸 秀仁

  金沢工業大学

• 沖村 邦雄

  東海大学工学部電子工学科

• 本間 芳和

  Ntt物性基礎研

• 浅野 清光

  秋田高専

• 小川 倉一

  大阪府立産業技術総合研究所

• 鬼頭 伸幸

  名古屋大学大学院工学研究科

• 棚橋 克人

  大阪府立大学先端科学研究所

• 小林 信一

  埼玉大学

• 安達 俊

  学習院大学理学部

• 見附 孝一郎

  分子科学研究所

• 関 孝男

  学習院大学理学部

• 阿部 彰雄

  学習院大学理学部

• 栗山 大人

  学習院大学理学部

• 日置 亜也子

  大阪府立産業技術総合研究所

• 大田 暢彦

  (株)安川電機 開発研究所

• 中山 隆史

  千葉大学理学部

• 東野 徒士之

  大阪府立大学先端科学研究所

• 菊池 通真

  大阪府立大学先端科学研究所

• 潮田 資勝

  北陸先端科学技術大学院大学

• 水野 茂

  アネルバ株式会社装置事業部第一製品技術グループ

• 大毛利 健治

  早稲田大学

• 古田 和也

  名古屋大学大学院光学研究科

• 山田 啓作

  筑波大学数理物質科学研究科

• 藤塚 良太

  名古屋大学大学院工学研究科

• 志村 洋介

  名古屋大学

• 櫻井 晋也

  名古屋大学大学院工学研究科

• 竹内 正太郎

  名古屋大学

• 田岡 紀之

  名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻

• 望月 省吾

  名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻

• 河合 圭吾

  名古屋大学大学院工学研究科

• 宮崎 香代子

  名古屋大学大学院工学研究科

• 北原 武

  北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科

• 田中 英樹

  北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科

• 脇本 裕之

  北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科

• 白石 賢二

  筑波大学

• 後藤 康仁

  京都大学大学院工学研究科

• 佐々木 雅夫

  アネルバ株式会社

• 松井 裕高

  名古屋大学大学院工学研究科

• 中山 隆史

  千葉大

• 中山 隆史

  千葉大学

• 中山 隆史

  千葉大学理学研究科基盤理学専攻

• 高柳 邦夫

  東京工業大学

• 橘内 浩之

  日立製作所 機械研究所

• 河合 圭吾

  名古屋大学大学院工学研究科:(現)necエレクトロニクス株式会社

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研

• 本間 芳和

  Ntt物性科学基礎研究所

• 桜井 誠

  神戸大学理学部

• 吉岡 捷爾

  香川大学

• 高橋 明久

  東京理科大学工学部電気工学科

• 塩川 善郎

  アトムテクノロジー研究体

• 夏川 一輝

  大阪府立産業技術総合研究所

• 村上 和嗣

  大阪市立大学工学部

• 川原 淳史

  大阪市立大学工学部

• 井上 直久

  大阪府立大学先端科学研究所

• 井上 直久

  大阪府立大学 先端科学研究所

• 大毛利 健治

  早稲田大学ナノ理工学研究機構

• 庄子 大生

  東北大学電気通信研究所

• 篠原 正典

  東北大学電気通信研究所

• 安部 薫

  日本真空技術(株)筑波超材料研究所

• 斎藤 順雄

  高松工専

• 仲秋 勇

  静岡県富士工業技術センタ

• 山口 十六夫

  静岡大学

• 岩田 弘

  香川県工技センタ

• 中村 茂昭

  高松工専

• 相 龍太

  横浜市立大学総合理学研究科

• 矢城 陽一朗

  岡山理科大学総合情報学部

• 加藤 亮祐

  名古屋大学大学院工学研究科

• 京極 真也

  名古屋大学大学院工学研究科

• Hiramatsu M

  Nano Factory Graduate School Of Science And Technology Meijo University

• 内藤 賀公

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 岩井 洋

  東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター

• 成島 哲也

  筑波大学物理学科

• 一村 信吾

  工業技術院電子技術総合研究所 極阪技術部

• 佐藤 英樹

  アネルバ株式会社

• 安田 幸夫

  名古屋大学大学院工学研究科

• 渡邉 祐樹

  埼玉大学

• 金持 徹

  広島国際学院大学工学部電子工学科

• 池内 俊之

  筑波大学物理工学系

• 中村 忠

  東海大学工学部電子工学科

• 大屋 誠志郎

  神奈川県産業技術総合研究所

• 品部 慎治

  (株)安川電機

• 山本 恵彦

  筑波大学物理工学系

• Hori Masaru

  School Of Engineering Nagoya University

• 濱田 晃一

  山口大学工学部

• 川田 正国

  工業技術院電子技術総合研究所極限技術部

• 柳沢 保徳

  奈良教育大学

• 森川 良樹

  明電舎材料デバイス研究部

• 西口 哲也

  明電舎材料デバイス研究部

• 宮本 正春

  明電舎材料デバイス研究部

• 野中 秀彦

  工業技術院電子技術総合研究所極限技術部

• 村上 寛

  工業技術院電子技術総合研究所極限技術部

• 佐藤 誠

  アネルバ株式会社装置事業部第一製品技術グループ

• 田口 信一郎

  アネルバ株式会社

• 五月女 真一

  千葉大学理学研究科基盤理学専攻

• 長谷川 秀雄

  防衛大学校電気工学科

• 妻木 伸夫

  日立製作所, 機械研究所

• 松谷 貴臣

  大阪工業技術研究所

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 継枝 孝行

  日本真空技術(株)筑波超材料研究所

• 河村 裕一

  大阪府立大学先端科学研究所

• 河村 裕一

  大阪府立大先端研

• 金原 あきら

  金沢工業大学AMSRC

• 金 龍成

  金属材料技術研究所

• 平山 博之

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 近藤 剛弘

  筑波大学物理工学系, 筑波先端学際領域研究(TARA)センター

• 柳生 進二郎

  筑波大学物理工学系

• 平岡 知己

  筑波大学物理工学系

• 八木原 美奈

  東京理科大学工学部電気工学科

• CHIKYOW T.

  National Institute of Materials Science

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著作論文

• MOCVD法によるPr酸化膜の作製およびその電気的特性評価(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Pr(EtCp)_3を用いた原子層堆積法によるPr酸化膜の形成(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• La_2O_3-Al_2O_3複合膜における定電圧ストレス印加時の局所的な電荷捕獲とその放出過程(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 電流検出型原子間力顕微鏡法を用いた極薄ゲート絶縁膜の信頼性評価(ナノテクノロジー時代の故障解析技術と解析ツール)
• 電流検出型原子間力顕微鏡を用いたLa_2O_3-Al_2O_3複合膜の局所リーク電流評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• 電子注入ストレスを加えたゲート酸化膜の電流検出型原子間力顕微鏡による解析(電子材料)
• 電流検出型原子間力顕微鏡を用いたゲート絶縁膜の局所リーク電流評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 電子注入ストレスを加えたゲート酸化膜の電流検出型原子間力顕微鏡による解析 : ゲート絶縁膜劣化機構の微視的評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Ge_Sn_xバッファ層上への伸張歪Ge層形成と歪・転位構造制御
• シリコン表面の窒化初期過程とエネルギーバンドギャップの形成
• CS-5-2 Si_Ge_X/Si(001)構造における転位および歪の評価と制御技術(CS-5.異種材料融合デバイス技術,シンポジウム)
• Ge基板上へのPr酸化膜の作製と評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• 仮想Ge基板上におけるGe_Sn_xバッファ層の歪および転位構造制御
• SOI基板上歪緩和SiGeバッファ層の転位構造とモザイシティ
• Si_Ge_xバッファ層の歪緩和および転位構造制御(Buffer層を中心としたエピタキシーの新展開)
• ラジカル窒化過程におけるエネルギーバンドギャップ形成機構のSTM/STS解析(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• ラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造制御(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• LaAlO/Ge構造へのALD-Al_2O_3界面制御層挿入の効果(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Ge表面酸化および窒化処理と High-k ゲートスタック構造形成プロセス
• シリコンナノテクノロジー(ナノテクノロジー)
• ヘテロエピタキシャル成長における歪緩和と貫通転位の低減 : Si(001)基板上の高品質Si_Ge_x歪緩和層の成長(バルク成長分科会特集 : 結晶成長の科学と技術)
• 集束イオンビームを用いたナノチャネルMOSFETの作製とクーロンブロッケード現象
• 集束イオンビームを用いたナノチャネルMOSFETの作製とクーロンブロッケード現象
• シリサイド化反応とコンタクト特性
• サマリー・アブストラクト
• Pr(EtCp)_3を用いた原子層成長法によるPr酸化膜の作製とその電気的特性
• ドーピングによるシリサイドの仕事関数の変調 : シリサイドの物理に基づく理論(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 金属/シリコン界面におけるシリサイド形成と低抵抗コンタクト

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