小川 正毅 | 名古屋大学
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概要
関連著者
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財満 鎭明
名古屋大学大学院工学研究科
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小川 正毅
名古屋大学
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財満 鎭明
名古屋大学
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財満 鎭明
名古屋大学先端技術共同研究センター
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財満 鎭明
名古屋大学大学院 工学研究科
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酒井 朗
大阪大学
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酒井 朗
名古屋大学工学研究科
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酒井 朗
名古屋大学
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中塚 理
名古屋大学
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近藤 博基
名古屋大学大学院光学研究科
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近藤 博基
名古屋大学大学院工学研究科
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Kondo H
Department Of Biochemical Engineering And Science Kyushu Institute Of Technology
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坂下 満男
名古屋大学大学院工学研究科
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坂下 満男
名古屋大学大学院光学研究科
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Kondo Hideo
Institute Of Advanced Material Study Graduate School Of Engineering Sciences And Crest Japan Science
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Kondo Hirotomo
Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering Sojo University
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Kondo H
Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering Sojo University
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酒井 朗
大阪大学大学院基礎工学研究科
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世古 明義
名古屋大学
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佐合 寿文
名古屋大学大学院工学研究科
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櫻井 晋也
名古屋大学大学院工学研究科
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田岡 紀之
産業技術総合研究所
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堀 勝
名古屋大学
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堀 勝
名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻
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鬼頭 伸幸
名古屋大学大学院工学研究科
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藤塚 良太
名古屋大学大学院工学研究科
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竹内 正太郎
名古屋大学
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田岡 紀之
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻
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望月 省吾
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻
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Hiramatsu M
Nano Factory Graduate School Of Science And Technology Meijo University
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Hori Masaru
School Of Engineering Nagoya University
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藤塚 良太
名古屋大学大学院工学研究科:(現)東芝セミコンダクター社
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田岡 紀之
名古屋大学大学院工学研究科
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竹内 正太郎
大阪大学大学院基礎工学研究科
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小川 正毅
名古屋大学エコトピア科学研究所
著作論文
- MOCVD法によるPr酸化膜の作製およびその電気的特性評価(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- La_2O_3-Al_2O_3複合膜における定電圧ストレス印加時の局所的な電荷捕獲とその放出過程(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 電流検出型原子間力顕微鏡を用いたLa_2O_3-Al_2O_3複合膜の局所リーク電流評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- シリコン表面の窒化初期過程とエネルギーバンドギャップの形成
- CS-5-2 Si_Ge_X/Si(001)構造における転位および歪の評価と制御技術(CS-5.異種材料融合デバイス技術,シンポジウム)
- Ge基板上へのPr酸化膜の作製と評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 仮想Ge基板上におけるGe_Sn_xバッファ層の歪および転位構造制御
- SOI基板上歪緩和SiGeバッファ層の転位構造とモザイシティ
- Si_Ge_xバッファ層の歪緩和および転位構造制御(Buffer層を中心としたエピタキシーの新展開)
- Ge表面酸化および窒化処理と High-k ゲートスタック構造形成プロセス
- MOCVD法によるPr酸化膜の作製およびその電気的特性評価