酒井 朗 | 大阪大学大学院基礎工学研究科
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概要
関連著者
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酒井 朗
大阪大学大学院基礎工学研究科
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酒井 朗
東京大学工学研究科
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酒井 朗
名古屋大
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酒井 朗
名古屋大学
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酒井 朗
名古屋大学工学研究科
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丸山 茂夫
東京大学大学院工学系研究科
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村上 陽一
東大院工
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篠原 久典
名大院理
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大野 雄高
名大工
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大野 雄高
名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻
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岸本 茂
名古屋大学工学研究科
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水谷 孝
名古屋大学工学研究科
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黒川 雄斗
さきがけ
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嶋田 行志
名古屋大学工学研究科
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石田 将史
名古屋大学理学研究科
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黒川 雄斗
名古屋大学工学研究科
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村上 陽一
東京大学工学研究科
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丸山 茂夫
東京大学工学研究科
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篠原 久典
名大理
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財満 鎭明
名古屋大学大学院工学研究科
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小川 正毅
名古屋大学
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篠原 久典
名古屋大
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近藤 博基
名古屋大学大学院光学研究科
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篠原 久典
名古屋大学 大学院理学研究科/高等研究院
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中村 芳明
大阪大学大学院基礎工学研究科
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財満 鎭明
名古屋大学
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水谷 孝
名古屋大学
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岸本 茂
名古屋大学
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大野 雄高
名古屋大学大学院工学研究科
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竹内 正太郎
大阪大学大学院基礎工学研究科
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村上 陽一
名古屋大学理学研究科
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丸山 茂夫
名古屋大学工学研究科
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篠原 久典
東京大学工学研究科
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酒井 朗
大阪大学
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近藤 博基
名古屋大学大学院工学研究科
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Kondo H
Department Of Biochemical Engineering And Science Kyushu Institute Of Technology
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櫻井 晋也
名古屋大学大学院工学研究科
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財満 鎭明
名古屋大学先端技術共同研究センター
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Kondo Hideo
Institute Of Advanced Material Study Graduate School Of Engineering Sciences And Crest Japan Science
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Kondo Hirotomo
Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering Sojo University
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Kondo H
Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering Sojo University
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吉川 純
大阪大学大学院基礎工学研究科
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財満 鎭明
名古屋大学大学院 工学研究科
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淺田 遼太
大阪大学大学院基礎工学研究科
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Son Pham
大阪大学大学院基礎工学研究科
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Vasant Kokate
大阪大学基礎工学部
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藤岡 洋
東京大学生産技術研究所
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篠原 久典
名古屋大学大学院理学研究科物質理学専攻
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八木 順吉
大阪大学工学部
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橋本 聖史
大阪大学工学研究科
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中塚 理
名古屋大学
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冨田 康光
大阪大学工学部
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伊藤 圭司
大阪大学大学院工学研究科
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品川 尚久
大阪大学大学院工学研究科
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八木 順吉
大阪大学名誉教授
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品川 尚久
本田技研工業(株)
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小川 正毅
名古屋大学エコトピア科学研究所
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松井 秀紀
大阪大学大学院基礎工学研究科
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石部 貴史
大阪大学大学院基礎工学研究科
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中村 芳明
大阪大学大学院基礎工学研究科:さきがけ-JST
著作論文
- MOCVD法によるPr酸化膜の作製およびその電気的特性評価(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価
- CS-5-2 Si_Ge_X/Si(001)構造における転位および歪の評価と制御技術(CS-5.異種材料融合デバイス技術,シンポジウム)
- 「結晶評価技術の新展開」小特集によせて
- 「IV族系半導体結晶・混晶の新たなる展開」小特集にあたって(小特集序文)
- 選択横方向エピタキシャル成長により形成した GaN 膜中の転位構造
- ランダム荷重下での疲労挙動に関する研究 : 第3報 : Miner則によらない新しい寿命予測法
- フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- 直接接合シリコン基板の開発
- 選択横方向成長によって形成されたGaN膜中の転位構造
- MOCVD法によるPr酸化膜の作製およびその電気的特性評価
- 貼り合わせ直接接合SrTiO_3(001)基板の抵抗スイッチング特性評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Si基板上への鉄酸化物ナノドットのエピタキシャル成長とその電子状態測定(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 貼り合わせ直接接合SrTiO_3(001)基板の抵抗スイッチング特性評価