藤岡 洋 | 東京大学生産技術研究所
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概要
関連著者
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藤岡 洋
東京大学生産技術研究所
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藤岡 洋
東京大学生産技術研究所:科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業(jst-crest)
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太田 実雄
東京大学生産技術研究所
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小林 篤
東京大学大学院工学系研究科
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Kobayashi Atsushi
Department Of Applied Chemistry The University Of Tokyo
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尾嶋 正治
東大院工
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尾嶋 正治
東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻
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尾嶋 正治
Jst-crest:東大院工
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尾嶋 正治
東京大学大学院工学系研究科
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下元 一馬
東京大学生産技術研究所
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上野 耕平
東京大学生産技術研究所
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小林 篤
東京大学生産技術研究所
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井上 茂
東京大学生産技術研究所
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尾嶋 正治
Ntt電子応用研究所
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岡本 浩一郎
東大生研
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井上 茂
東大生研
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上野 耕平
東大 生産技研
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下元 一馬
東大 生産技研
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金 太源
神奈川科学技術アカデミー
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松木 伸行
神奈川科学技術アカデミー
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尾嶋 正治
東大工
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梶間 智文
東京大学大学院工学系研究科
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天内 英貴
三菱化学科学技術研究センター
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長尾 哲
三菱化学科学技術研究センター
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堀江 秀善
三菱化学科学技術研究センター
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岡本 浩一郎
東京大学生産技術研究所
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小林 篤
神奈川科学技術アカデミー
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尾嶋 正治
東大 大学院工学系研究科
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藤岡 洋
東大生研
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岩谷 素顕
名城大学工学部材料機能工学科
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岩谷 素顕
名城大学工学部
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酒井 朗
東京大学工学研究科
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秩父 重英
東北大学多元物質科学研究所
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尾嶋 正治
東京大学工学部
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川口 祐司
東京大学生産技術研究所
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酒井 朗
大阪大学大学院基礎工学研究科
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藤岡 洋
東大・生研
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中野 貴之
神奈川科学技術アカデミー
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酒井 朗
名古屋大
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秩父 重英
東北大学 多元物質科学研究所
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藤岡 洋
東京大学生産技術研究所 研究交流部
著作論文
- ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第2回窒化物半導体結晶成長講演会「窒化物半導体結晶成長の新しい流れ」(学会活動報告)
- ZnO基板上に成長した無極性面III族窒化物半導体の構造的・光学的異方性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ZnO基板上への非極性面III族窒化物半導体の成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 01aB06 低温成長バッファー層を用いたZnO基板上無極性GaN薄膜の成長(半導体エピ(1),第36回結晶成長国内会議)
- PLD法により低温成長したIII族窒化物の特性(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 17pB13 室温成長バッファー層を用いたZnO基板上GaN薄膜の高品質化(半導体エピ(4),第35回結晶成長国内会議)
- III族窒化物室温成長バッファー層の評価(Buffer層を中心としたエピタキシーの新展開)
- PLD法による室温成長GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- Narrow Gap and Compound Semiconductors(The 40th National Conference on Crystal Growth (NCCG-40) and the 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)/the 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy (ICVGE-14),News of JACG)
- 「結晶評価技術の新展開」小特集によせて
- ZnO基板上に成長した無極性面III族窒化物半導体の構造的・光学的異方性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ZnO基板上に成長した無極性面III族窒化物半導体の構造的・光学的異方性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ZnO基板上への非極性面III族窒化物半導体の成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ZnO基板上への非極性面III族窒化物半導体の成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第2回窒化物半導体結晶成長講演会 : 窒化物半導体結晶成長の新しい流れ
- 「窒化物半導体結晶中の欠陥」特集によせて(特集序文)
- PLD法により低温成長したIII族窒化物の特性(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- PLD法により低温成長したIII族窒化物の特性(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- PLD法による室温成長GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- PLD法による室温成長GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 17pB05 PLD法によるCu(111)基板上へのGaNのエピタキシャル成長(半導体エピ(3),第35回結晶成長国内会議)
- 01aB08 単結晶fcc金属基板上へのIII族窒化物エピタキシャル成長(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
- パルス励起堆積法による窒化物半導体の低温エピタキシャル成長
- ナノ構造・エピタキシャル成長分科会主催第1回窒化物半導体結晶成長講演会「窒化物半導体結晶成長の未来を展望する」(学会活動報告)
- 2008年日本結晶成長学会特別講演会「環境調和と省エネルギーを目指した材料開発のための結晶成長」(学会活動報告)
- 室温結晶成長が拓くエレクトロニクスの新しい形 : エレクトロニクスは再び化学者の時代へ
- 「Buffer層を中心としたエピタキシーの新展開」小特集に寄せて(小特集序文)
- 「ナノプロセス技術が育むフレキシブルエレクトロニクスの世界」
- 金属上への窒化物半導体低温成長(次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)
- 次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸(特集序文)
- ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第4回窒化物半導体結晶成長講演会「プレIWN2012講演会」(学会活動報告)
- International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(2012窒化物半導体ワークショップ)
- ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第4回窒化物半導体結晶成長講演会「プレIWN2012講演会」
- タイトル無し