岡本 浩一郎 | 東大生研

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概要

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関連著者

• 藤岡 洋

  東京大学生産技術研究所

• 岡本 浩一郎

  東大生研

• 井上 茂

  東京大学生産技術研究所

• 井上 茂

  東大生研

• 藤岡 洋

  東京大学生産技術研究所:科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業(jst-crest)

• 金 太源

  神奈川科学技術アカデミー

• 松木 伸行

  神奈川科学技術アカデミー

• 小林 篤

  東京大学大学院工学系研究科

• 太田 実雄

  東京大学生産技術研究所

• 小林 篤

  東京大学生産技術研究所

• 岡本 浩一郎

  東京大学生産技術研究所

• Kobayashi Atsushi

  Department Of Applied Chemistry The University Of Tokyo

• 藤岡 洋

  東大生研

• 中野 貴之

  神奈川科学技術アカデミー

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著作論文

• PLD法により低温成長したIII族窒化物の特性(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• PLD法により低温成長したIII族窒化物の特性(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• PLD法により低温成長したIII族窒化物の特性(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 17pB05 PLD法によるCu(111)基板上へのGaNのエピタキシャル成長(半導体エピ(3),第35回結晶成長国内会議)
• 01aB08 単結晶fcc金属基板上へのIII族窒化物エピタキシャル成長(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)

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