太田 実雄 | 東京大学生産技術研究所

スポンサーリンク

概要

• 太田 実雄の詳細を見る
• 同名の論文著者
• 東京大学生産技術研究所の論文著者

関連著者

• 太田 実雄

  東京大学生産技術研究所

• 藤岡 洋

  東京大学生産技術研究所:科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業(jst-crest)

• 小林 篤

  東京大学大学院工学系研究科

• Kobayashi Atsushi

  Department Of Applied Chemistry The University Of Tokyo

• 藤岡 洋

  東京大学生産技術研究所

• 尾嶋 正治

  東大院工

• 尾嶋 正治

  東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻

• 尾嶋 正治

  Jst-crest:東大院工

• 尾嶋 正治

  東京大学大学院工学系研究科

• 下元 一馬

  東京大学生産技術研究所

• 上野 耕平

  東京大学生産技術研究所

• 小林 篤

  東京大学生産技術研究所

• 尾嶋 正治

  Ntt電子応用研究所

• 尾嶋 正治

  東大工

• 上野 耕平

  東大 生産技研

• 下元 一馬

  東大 生産技研

• 小林 篤

  東大生研

• 太田 実雄

  東大生研

• 藤岡 洋

  東大生研

• 井上 茂

  東京大学生産技術研究所

• 岡本 浩一郎

  東大生研

• 梶間 智文

  東京大学大学院工学系研究科

• 天内 英貴

  三菱化学科学技術研究センター

• 長尾 哲

  三菱化学科学技術研究センター

• 堀江 秀善

  三菱化学科学技術研究センター

• 岡本 浩一郎

  東京大学生産技術研究所

• 金 太源

  神奈川科学技術アカデミー

• 松木 伸行

  神奈川科学技術アカデミー

• 小林 篤

  神奈川科学技術アカデミー

• 井上 茂

  東大生研

• 尾嶋 正治

  東大 大学院工学系研究科

• 川口 祐司

  東京大学生産技術研究所

• 藤原 勝敏

  日本セラミックス(株)八東研究所

• 石井 晃

  鳥取大学大学院工学研究科

• 尾嶋 正治

  東京大学工学部

• 藤岡 洋

  東大工

• 河野 哲

  東大生研

• 金 明姫

  東大院総合文化

• 尾嶋 正治

  東大院総合文化

• 川口 祐司

  東大生研

• 石井 晃

  鳥取大工

• 石井 晃

  鳥取大 工

• 藤原 勝敏

  鳥取大工

• 太田 実雄

  東大工

もっと見る 閉じる

著作論文

• ZnO基板上に成長した無極性面III族窒化物半導体の構造的・光学的異方性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 室温結晶成長を用いたフレキシブルエレクトロニクスの開発
• ZnO基板上への非極性面III族窒化物半導体の成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 01aB10 MgO基板上への半極性AlN薄膜の成長と評価(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
• 01aB07 SiC(0001)ステップ基板上におけるIII族窒化物薄膜の室温成長初期過程の観察(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
• 01aB06 低温成長バッファー層を用いたZnO基板上無極性GaN薄膜の成長(半導体エピ(1),第36回結晶成長国内会議)
• PLD法により低温成長したIII族窒化物の特性(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 17pB06 (Mn,Zn)Fe_2O_4基板上におけるIII族窒化物薄膜の室温成長(半導体エピ(3),第35回結晶成長国内会議)
• 17pB07 格子整合ZrB_2基板上へのGaN低温成長(半導体エピ(3),第35回結晶成長国内会議)
• 17pB13 室温成長バッファー層を用いたZnO基板上GaN薄膜の高品質化(半導体エピ(4),第35回結晶成長国内会議)
• III族窒化物室温成長バッファー層の評価(Buffer層を中心としたエピタキシーの新展開)
• PLD法による室温成長GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• ZnO基板上に成長した無極性面III族窒化物半導体の構造的・光学的異方性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ZnO基板上に成長した無極性面III族窒化物半導体の構造的・光学的異方性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ZnO基板上への非極性面III族窒化物半導体の成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• ZnO基板上への非極性面III族窒化物半導体の成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• PLD法により低温成長したIII族窒化物の特性(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• PLD法により低温成長したIII族窒化物の特性(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• PLD法による室温成長GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• PLD法による室温成長GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 21pYC-6 サファイア基板上 GaN 薄膜の成長メカニズムの第一原理計算
• PXD法を用いたハイブリッド発光材料の開発 (特集 LEDとデバイス技術)
• パルス励起堆積法による窒化物半導体の低温エピタキシャル成長
• 金属上への窒化物半導体低温成長(次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク