17pB07 格子整合ZrB_2基板上へのGaN低温成長(半導体エピ(3),第35回結晶成長国内会議)
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概要
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We have grown GaN on nearly lattice matched ZrB_2 substrates at low substrate temperatures by the use of PLD. We have found that high quality GaN grows on ZrB_2 substrates with the layer-by-layer mode even at room temperature. This success can be attributed to the suppression of interfacial reaction between GaN and ZrB_2.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2005-08-17
著者
-
川口 祐司
東京大学生産技術研究所
-
小林 篤
東京大学大学院工学系研究科
-
太田 実雄
東京大学生産技術研究所
-
小林 篤
東大生研
-
太田 実雄
東大生研
-
藤岡 洋
東大生研
-
川口 祐司
東大生研
-
藤岡 洋
東京大学生産技術研究所:科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業(jst-crest)
-
Kobayashi Atsushi
Department Of Applied Chemistry The University Of Tokyo
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