01aB06 低温成長バッファー層を用いたZnO基板上無極性GaN薄膜の成長(半導体エピ(1),第36回結晶成長国内会議)
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概要
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ZnO has been regarded as one of the most promising substrates for nonpolar GaN films because ZnO and GaN perfectly share the same crystalline symmetries and the lattice mismatches between them are as small as 1.9% and 0.4% for the a and c axes, respectively. We discuss the epitaxial growth of high-quality nonpolar GaN on nearly lattice matched a- and m-plane ZnO with the use of low temperature buffer layers which helps to suppress the inter facial reactions between GaN and ZnO.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2006-11-01
著者
-
藤岡 洋
東京大学生産技術研究所
-
小林 篤
東京大学大学院工学系研究科
-
太田 実雄
東京大学生産技術研究所
-
小林 篤
東京大学生産技術研究所
-
藤岡 洋
東京大学生産技術研究所:科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業(jst-crest)
-
Kobayashi Atsushi
Department Of Applied Chemistry The University Of Tokyo
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