PLD法による室温成長GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
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概要
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GaNに対して小さい格子不整をあたえるZnOの基板表面を原子レベルで平坦化した後、パルスレーザー堆積法(PLD法)によってGaN薄膜を成長した。PLD法はIII族原料を高いエネルギーで基板に供給するので成長温度の低温化が可能となり、室温においてもエピタキシャル成長が実現した。また、この低温化によって窒化物薄膜と基板間の界面反応が抑制され、結晶の品質やモフォロジーが改善されることがわかった。ZnO基板上では室温においてもGaN薄膜がlayer-by-layer成長し、その表面はステップ・テラス構造を有していることが分かった。室温エピタキシャル成長によってGaN/基板間の界面急峻性が実現されることから、格子整合基板の特徴が生かされ、良質なGaN薄膜が成長すると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-05-20
著者
-
藤岡 洋
東京大学生産技術研究所
-
小林 篤
東京大学大学院工学系研究科
-
太田 実雄
東京大学生産技術研究所
-
小林 篤
神奈川科学技術アカデミー
-
藤岡 洋
東京大学生産技術研究所:科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業(jst-crest)
-
Kobayashi Atsushi
Department Of Applied Chemistry The University Of Tokyo
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