p型GaNの低温活性化とそのメカニズム(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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概要
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MOCVDで成長したMgドープGaN層の表面にNiを蒸着してから熱処理することできわめて低温でP型化することに初めて成功した。NiをAs-grownの高抵抗MgドープGaN試料表面全面に厚さ1.5mm蒸着し、窒素中200℃で10分間熱処理するとMgドープ層はキャリア濃度1×10^16cm^-3のp型伝導性を示した。また熱処理温度を400℃にするとキャリア濃度は2×10^17cm^-3となった。このように従来の熱処理温度と比べてきわめて低温にもかかわらずp型化したのは、二次イオン質量分析(SIMS)の結果、表面のNi薄膜がH脱離触媒として働きH:が効果的に除去されたためであることが分かった。さらに昇温脱離分析(TDS)により、MgドープGaN層からHが除去される過程はMg-H複合体からのHの解離反応ではなく、表面での再結合反応に律速されていることが明らかになった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-07
著者
-
尾嶋 正治
東京大学工学部
-
脇 一太郎
東京大学工学系研究科:(現)科学技術振興事業団crest研究員
-
奥山 峰夫
昭和電工株式会社研究開発センター
-
藤岡 洋
東京大学生産技術研究所:科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業(jst-crest)
-
奥山 峰夫
昭和電工株式会社 研究開発センター
-
藤岡 洋
東京大学工学系研究科
-
三木 久幸
昭和電工株式会社研究開発センター(土気)
-
三木 久幸
東京大学工学系研究科
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