藤岡 洋 | 東京大学生産技術研究所:科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業(jst-crest)

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概要

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• 東京大学生産技術研究所:科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業(jst-crest)の論文著者

関連著者

• 藤岡 洋

  東京大学生産技術研究所:科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業(jst-crest)

• 太田 実雄

  東京大学生産技術研究所

• 小林 篤

  東京大学大学院工学系研究科

• Kobayashi Atsushi

  Department Of Applied Chemistry The University Of Tokyo

• 藤岡 洋

  東京大学生産技術研究所

• 尾嶋 正治

  東大工

• 小野 寛太

  総研大・高エ研

• 尾嶋 正治

  東大院工

• 尾嶋 正治

  東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻

• 小野 寛太

  東大工

• 藤岡 洋

  東大工

• 尾嶋 正治

  東京大学大学院工学系研究科

• 尾嶋 正治

  Jst-crest:東大院工

• 下元 一馬

  東京大学生産技術研究所

• 上野 耕平

  東京大学生産技術研究所

• 藤岡 洋

  東大生研

• 小林 篤

  東京大学生産技術研究所

• 井上 茂

  東京大学生産技術研究所

• 尾嶋 正治

  Ntt電子応用研究所

• 水口 将輝

  東北大学

• 中園 晋輔

  東大工

• 岡本 浩一郎

  東大生研

• 井上 茂

  東大生研

• 上野 耕平

  東大 生産技研

• 下元 一馬

  東大 生産技研

• 木原 隆幸

  東大工

• 小林 篤

  東大生研

• 太田 実雄

  東大生研

• 金 太源

  神奈川科学技術アカデミー

• 松木 伸行

  神奈川科学技術アカデミー

• 木原 隆幸

  東大院工

• 尾嶋 正治

  東京大学工学部

• 田中 雅明

  東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻

• 水口 将輝

  東大工

• 渡辺 義夫

  NTT基礎研

• 渡辺 義夫

  Spring-8 Jasri

• 梶間 智文

  東京大学大学院工学系研究科

• 天内 英貴

  三菱化学科学技術研究センター

• 長尾 哲

  三菱化学科学技術研究センター

• 堀江 秀善

  三菱化学科学技術研究センター

• 岡本 浩一郎

  東京大学生産技術研究所

• 小林 篤

  神奈川科学技術アカデミー

• 尾嶋 正治

  東大 大学院工学系研究科

• 秋永 広幸

  JRCAT

• 小野 寛太

  東大物性研

• 小野 寛太

  東京大学大学院工学系研究科

• 藤岡 洋

  東京大学大学院工学系研究科

• 藤岡 洋

  東大

• 浦上 武

  東大工

• 田中 雅明

  東大工

• 中村 吉伸

  東大新領域

• 中村 吉伸

  東大院新領域

• 宮山 勝

  東大 先端科学技術研究セ

• 川口 祐司

  東京大学生産技術研究所

• 竹中 久貴

  NTT-AT

• 脇 一太郎

  東京大学工学系研究科:(現)科学技術振興事業団crest研究員

• 尾嶋 正治

  東大 大学院

• 奥山 峰夫

  昭和電工株式会社研究開発センター

• 藤岡 洋

  東京大学大学院

• 奥山 峰夫

  昭和電工株式会社 研究開発センター

• 藤岡 洋

  東京大学工学系研究科

• 三木 久幸

  東京大学工学系研究科

• 川口 慎一

  東大工

• Miyayama Masaru

  Research Center For Advanced Science And Technology (rcast) The University Of Tokyo

• 竹中 久貴

  Ntt-a

• 早川 慎二郎

  広島大学大学院工学研究科物質化学システム専攻

• 宮山 勝

  東大先端研

• 藤原 勝敏

  日本セラミックス(株)八東研究所

• 石井 晃

  鳥取大学大学院工学研究科

• 岡本 淳

  東大理

• 小出 常晴

  物講研

• 水口 将輝

  東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻

• 水口 将輝

  東大理

• 間野 高明

  東大院工

• 堀場 弘司

  東大工

• 中村 吉伸

  東大

• 小出 常晴

  物構研

• 水口 将揮

  東大工

• 呉 鎮浩

  東大工

• 鈴木 哲

  NTT基礎研

• 清倉 孝規

  NTT基礎研

• 柿崎 明人

  物構研

• 菊地 貴司

  物構研

• 前田 文彦

  NTT基礎研

• 柳下 明

  物構研

• 加藤 博雄

  弘前大理工

• 柿崎 明人

  東京大学放射光連携研究機構(物性研究所)

• 木戸 義勇

  金属材料技術研究所

• 宮山 勝

  東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻

• 堀場 弘治

  理研 SPring-8

• 河野 哲

  東大生研

• 金 明姫

  東大院総合文化

• 尾嶋 正治

  東大院総合文化

• 川口 祐司

  東大生研

• 間野 高明

  物質・材料研究機構

• 鈴木 哲

  農工大院工

• 石井 晃

  鳥取大工

• 前田 文彦

  Ntt物性基礎研

• 間野 高明

  (独)物質・材料研究機構

• 中園 晋輔

  東京大学大学院工学系研究科

• 木原 隆幸

  東京大学大学院工学系研究科

• 中村 吉伸

  東大工

• 安田 直人

  東大工

• 宮山 勝

  東大工

• 小口 信行

  物質・材料研究機構

• 田中 雅明

  東京大学大学院 工学系研究科 電気系工学専攻

• 塚本 史郎

  金材技研

• 渡邉 克之

  東大ナノ量子機構

• 小口 信行

  金属材料技術研究所極高真空場ステーション

• 岡本 淳

  東大

• 石井 晃

  鳥取大 工

• 清倉 孝規

  NTT物性基礎研

• 柳下 明

  物講研

• 藤原 勝敏

  鳥取大工

• 中野 貴之

  神奈川科学技術アカデミー

• 高増 正

  金属材料技術研究所

• 小口 信行

  金属材料技術研究所

• 渡邉 克之

  物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所

• 塚本 史郎

  物質・材料研究機構

• 渡邉 克之

  東工大院理工

• 塚本 史郎

  金属材料技術研究所

• 間野 高明

  金属材料技術研究所

• 渡邉 克之

  金属材料技術研究所

• 今中 康貴

  金属材料技術研究所

• 三木 久幸

  昭和電工株式会社研究開発センター(土気)

• 菊地 貴司

  物構研PF

• 太田 実雄

  東大工

• 安田 直人

  東京大学生産技術研究所

• 山口 晃央

  東大

• 早川 慎二郎

  広島大

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著作論文

• 半導体表面への磁性ナノ構造の成長と物性
• LaMn_Cr_xO_3の磁気特性
• 29a-ZH-3 GaAs上に成長したMnAsドットの光電子分光
• 29a-ZH-1 量子ナノ分光ビームラインPF BL-1C
• 26p-YJ-2 GaAs基板上に成長したMnAsドットの磁性
• ZnO基板上に成長した無極性面III族窒化物半導体の構造的・光学的異方性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 室温結晶成長を用いたフレキシブルエレクトロニクスの開発
• ZnO基板上への非極性面III族窒化物半導体の成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 01aB10 MgO基板上への半極性AlN薄膜の成長と評価(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
• 01aB07 SiC(0001)ステップ基板上におけるIII族窒化物薄膜の室温成長初期過程の観察(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
• 01aB06 低温成長バッファー層を用いたZnO基板上無極性GaN薄膜の成長(半導体エピ(1),第36回結晶成長国内会議)
• PLD法により低温成長したIII族窒化物の特性(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 17pB06 (Mn,Zn)Fe_2O_4基板上におけるIII族窒化物薄膜の室温成長(半導体エピ(3),第35回結晶成長国内会議)
• 17pB07 格子整合ZrB_2基板上へのGaN低温成長(半導体エピ(3),第35回結晶成長国内会議)
• 17pB13 室温成長バッファー層を用いたZnO基板上GaN薄膜の高品質化(半導体エピ(4),第35回結晶成長国内会議)
• III族窒化物室温成長バッファー層の評価(Buffer層を中心としたエピタキシーの新展開)
• PLD法による室温成長GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 28a-PS-62 LaCr_xMn_O_3の磁性
• ZnO基板上に成長した無極性面III族窒化物半導体の構造的・光学的異方性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ZnO基板上に成長した無極性面III族窒化物半導体の構造的・光学的異方性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ZnO基板上への非極性面III族窒化物半導体の成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• ZnO基板上への非極性面III族窒化物半導体の成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• PLD法により低温成長したIII族窒化物の特性(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• PLD法により低温成長したIII族窒化物の特性(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• PLD法による室温成長GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
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• InGaAs量子ドットのSPEED法による作製とその光学特性
• p型GaNの低温活性化とそのメカニズム(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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• 17pB05 PLD法によるCu(111)基板上へのGaNのエピタキシャル成長(半導体エピ(3),第35回結晶成長国内会議)
• 01aB08 単結晶fcc金属基板上へのIII族窒化物エピタキシャル成長(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
• 21pYC-6 サファイア基板上 GaN 薄膜の成長メカニズムの第一原理計算
• 不純物をドープしたマンガン酸化物の磁化挙動のシミュレーション
• Fe/C多層膜の作製と物性
• 28a-PS-97 Fe/C多層膜の作製と物性
• 高分解能蛍光X線による元素固有の磁気モーメントの決定
• 金属上への窒化物半導体低温成長(次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)

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