小林 篤 | 東京大学生産技術研究所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
藤岡 洋
東京大学生産技術研究所
-
小林 篤
東京大学大学院工学系研究科
-
太田 実雄
東京大学生産技術研究所
-
小林 篤
東京大学生産技術研究所
-
藤岡 洋
東京大学生産技術研究所:科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業(jst-crest)
-
Kobayashi Atsushi
Department Of Applied Chemistry The University Of Tokyo
-
岡本 浩一郎
東大生研
-
井上 茂
東京大学生産技術研究所
-
岡本 浩一郎
東京大学生産技術研究所
-
金 太源
神奈川科学技術アカデミー
-
松木 伸行
神奈川科学技術アカデミー
-
井上 茂
東大生研
-
尾嶋 正治
東京大学工学部
-
川口 祐司
東京大学生産技術研究所
著作論文
- 01aB06 低温成長バッファー層を用いたZnO基板上無極性GaN薄膜の成長(半導体エピ(1),第36回結晶成長国内会議)
- PLD法により低温成長したIII族窒化物の特性(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 17pB13 室温成長バッファー層を用いたZnO基板上GaN薄膜の高品質化(半導体エピ(4),第35回結晶成長国内会議)
- III族窒化物室温成長バッファー層の評価(Buffer層を中心としたエピタキシーの新展開)
- PLD法により低温成長したIII族窒化物の特性(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- PLD法により低温成長したIII族窒化物の特性(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))