小林 篤 | 東京大学大学院工学系研究科
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概要
関連著者
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小林 篤
東京大学大学院工学系研究科
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Kobayashi Atsushi
Department Of Applied Chemistry The University Of Tokyo
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太田 実雄
東京大学生産技術研究所
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藤岡 洋
東京大学生産技術研究所:科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業(jst-crest)
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藤岡 洋
東京大学生産技術研究所
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尾嶋 正治
東大院工
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尾嶋 正治
東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻
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尾嶋 正治
Jst-crest:東大院工
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尾嶋 正治
東京大学大学院工学系研究科
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下元 一馬
東京大学生産技術研究所
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上野 耕平
東京大学生産技術研究所
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小林 篤
東京大学生産技術研究所
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尾嶋 正治
Ntt電子応用研究所
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Ohta Jitsuo
Institute Of Industrial Science (iis) The University Of Tokyo
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FUJIOKA Hiroshi
Institute of Industrial Science (IIS), The University of Tokyo
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上野 耕平
東大 生産技研
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Fujioka Hiroshi
Institute Of Industrial Science (iis) The University Of Tokyo
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下元 一馬
東大 生産技研
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尾嶋 正治
東大工
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小林 篤
東大生研
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太田 実雄
東大生研
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藤岡 洋
東大生研
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Kobayashi Atsushi
Institute Of Industrial Science (iis) The University Of Tokyo
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岡本 浩一郎
東大生研
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梶間 智文
東京大学大学院工学系研究科
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天内 英貴
三菱化学科学技術研究センター
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長尾 哲
三菱化学科学技術研究センター
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堀江 秀善
三菱化学科学技術研究センター
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井上 茂
東京大学生産技術研究所
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岡本 浩一郎
東京大学生産技術研究所
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金 太源
神奈川科学技術アカデミー
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松木 伸行
神奈川科学技術アカデミー
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小林 篤
神奈川科学技術アカデミー
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井上 茂
東大生研
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尾嶋 正治
東大 大学院工学系研究科
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川口 祐司
東京大学生産技術研究所
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OSHIMA Masaharu
Department of Engineering, University of Tokyo
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Shimomoto Kazuma
Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo
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Ueno Kohei
Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo
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Oshima Masaharu
Department Of Applied Chemistry Graduate School Of Engineering The University Of Tokyo
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OSHIMA Masaharu
Department of Applied Chemistry and JST-CREST, The University of Tokyo
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尾嶋 正治
東京大学工学部
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KOBAYASHI Atsushi
Department of Chemistry, Kyushu University
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河野 哲
東大生研
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金 明姫
東大院総合文化
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尾嶋 正治
東大院総合文化
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川口 祐司
東大生研
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SHIMOMOTO Kazuma
Institute of Industrial Science (IIS), The University of Tokyo
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Fujii Tomoaki
Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo
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Toyoshima Yasushi
Univ. Tokyo Tokyo Jpn
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Sato Kazuhiro
Institute of Industrial Science (IIS), The University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro, Tokyo 153-8505
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Inoue Shigeru
Institute of Industrial Science (IIS), The University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro, Tokyo 153-8505
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Tsuchiya Yousuke
Department of Applied Chemistry, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Ja
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Fujii Tomoaki
Institute Of Industrial Science (iis) The University Of Tokyo
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Kobayashi Atsushi
Department Of Applied Biological Science Tokyo University Of Agriculture And Technology
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Shimomoto Kazuma
Institute Of Industrial Science (iis) The University Of Tokyo
-
Inoue Shigeru
Institute Of Industrial Science (iis) The University Of Tokyo
-
Tsuchiya Yousuke
Department of Applied Chemistry, The University of Tokyo
著作論文
- ZnO基板上に成長した無極性面III族窒化物半導体の構造的・光学的異方性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 室温結晶成長を用いたフレキシブルエレクトロニクスの開発
- ZnO基板上への非極性面III族窒化物半導体の成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 01aB10 MgO基板上への半極性AlN薄膜の成長と評価(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
- 01aB07 SiC(0001)ステップ基板上におけるIII族窒化物薄膜の室温成長初期過程の観察(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
- 01aB06 低温成長バッファー層を用いたZnO基板上無極性GaN薄膜の成長(半導体エピ(1),第36回結晶成長国内会議)
- PLD法により低温成長したIII族窒化物の特性(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 17pB06 (Mn,Zn)Fe_2O_4基板上におけるIII族窒化物薄膜の室温成長(半導体エピ(3),第35回結晶成長国内会議)
- 17pB07 格子整合ZrB_2基板上へのGaN低温成長(半導体エピ(3),第35回結晶成長国内会議)
- 17pB13 室温成長バッファー層を用いたZnO基板上GaN薄膜の高品質化(半導体エピ(4),第35回結晶成長国内会議)
- III族窒化物室温成長バッファー層の評価(Buffer層を中心としたエピタキシーの新展開)
- PLD法による室温成長GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- ZnO基板上に成長した無極性面III族窒化物半導体の構造的・光学的異方性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ZnO基板上に成長した無極性面III族窒化物半導体の構造的・光学的異方性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ZnO基板上への非極性面III族窒化物半導体の成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ZnO基板上への非極性面III族窒化物半導体の成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- PLD法により低温成長したIII族窒化物の特性(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- PLD法により低温成長したIII族窒化物の特性(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- PLD法による室温成長GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- PLD法による室温成長GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 光・電子材料 室温結晶成長技術を用いた高輝度緑色発光素子用材料の開発
- Improvement in the Crystalline Quality of Semipolar AlN($1\bar{1}02$) Films by Using ZnO Substrates with Self-Organized Nanostripes
- Structural Characteristics of GaN/InN Heterointerfaces Fabricated at Low Temperatures by Pulsed Laser Deposition
- Room-Temperature Epitaxial Growth of High Quality AlN on SiC by Pulsed Sputtering Deposition
- Layer-by-Layer Growth of AlN on ZnO(000$\bar{1}$) Substrates at Room Temperature
- GaN Heteroepitaxial Growth on LiTaO3(0001) Step Substrates by Pulsed Laser Deposition