01aB10 MgO基板上への半極性AlN薄膜の成長と評価(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
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概要
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We have grown AlN films on MgO(001) substrates by pulsed laser deposition (PLD) and investigated their structural properties. We have found that semi-polar AlN (1012) grows epitaxially on MgO (001) at the growth temperature of 1000℃ with the in-plane alignment of AlN[1210]//MgO[110].
- 日本結晶成長学会の論文
- 2006-11-01
著者
-
小林 篤
東京大学大学院工学系研究科
-
太田 実雄
東京大学生産技術研究所
-
河野 哲
東大生研
-
小林 篤
東大生研
-
太田 実雄
東大生研
-
藤岡 洋
東大生研
-
藤岡 洋
東京大学生産技術研究所:科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業(jst-crest)
-
Kobayashi Atsushi
Department Of Applied Chemistry The University Of Tokyo
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