01aB08 単結晶fcc金属基板上へのIII族窒化物エピタキシャル成長(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)

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概要

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• We have grown group III nitrides on fcc metal substrates with high thermal conductivities such as Cu(111) and Ag(111) by pulsed laser deposition (PLD). We have found that the use of low temperature AlN buffer layers allow us to grow GaN films epitaxially. We have also found that the epitaxial relationship is GaN[0001] // fcc[111] and GaN[11-20] // fcc[1-10].

• 日本結晶成長学会の論文
• 2006-11-01

著者

• 藤岡 洋

  東京大学生産技術研究所

• 岡本 浩一郎

  東大生研

• 藤岡 洋

  東大生研

• 井上 茂

  東京大学生産技術研究所

• 中野 貴之

  神奈川科学技術アカデミー

• 井上 茂

  東大生研

• 藤岡 洋

  東京大学生産技術研究所:科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業(jst-crest)

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