渡邉 克之 | 東大ナノ量子機構
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概要
関連著者
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渡邉 克之
東大ナノ量子機構
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荒川 泰彦
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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荒川 泰彦
1995 1996年度エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌編集委員会
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Arakawa Yasuhiko
Research Center For Advanced Science And Technology And Institute Of Industrial Science University O
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荒川 泰彦
東大ナノ量子機構:東大生産研
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中岡 俊裕
東大ナノ量子機構
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荒川 泰彦
東京大学 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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荒川 泰彦
東大生産研:東大ナノ量子機構
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荒川 泰彦
東京大学生産技術研究所
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Arakawa Yasuhiko
Institute For Nano Quantum Information Electronics The University Of Tokyo
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荒川 泰彦
東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産研
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荒川 泰彦
東京大学先端科学技術研究センター・生産技術研究所
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渡邉 克之
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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間野 高明
東大院工
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間野 高明
物質・材料研究機構
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間野 高明
(独)物質・材料研究機構
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小口 信行
物質・材料研究機構
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田辺 克明
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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渡邉 克之
物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
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渡邉 克之
東工大院理工
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荒川 泰彦
東大生研ncrc:東大先端研
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Arakawa Yasuhiko
Inst. For Nano Quantum Information Electronics The Univ. Of Tokyo
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黒田 隆
物材機構
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荒川 泰彦
東大生研
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南 不二雄
東工大院理
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黒田 隆
東工大院理
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南 不二雄
東工大院理工
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荒川 泰彦
東大ナノ量子機構
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小口 信行
物・材機構
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熊谷 直人
東大ナノ量子機構
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樽茶 清悟
Icorp-jst:東大工
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荒川 泰彦
東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産技術研究所
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黒田 隆
東工大院理工
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天羽 真一
ICORP-JST
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樽茶 清悟
東大工
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尾嶋 正治
東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻
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山本 倫久
東大工:erato-jst
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藤岡 洋
東京大学大学院工学系研究科
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木戸 義勇
金属材料技術研究所
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小圭 哲去
東大ナノ量子機構
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都木 宏之
東大工
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渡邊 克之
東大ナノ量子機構
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樽茶 清悟
東大ナノ量子機構
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荒川 泰彦
東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター
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尾嶋 正治
東京大学大学院工学系研究科
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黒田 隆
物質・材料研究機構
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迫田 和彰
物質・材料研究機構
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山本 倫久
東大物工
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細谷 剛
東工大院理工
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塚本 史郎
金材技研
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熊谷 直人
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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中岡 俊裕
東京大学生産技術研究所
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小口 信行
金属材料技術研究所極高真空場ステーション
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五十嵐 悠一
東大理
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Tarucha Seigo
Department Of Applied Physics The University Of Tokyo
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高増 正
金属材料技術研究所
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小口 信行
金属材料技術研究所
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都木 宏之
東大工:東大先端研
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間野 高明
物・材機構
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塚本 史郎
物質・材料研究機構
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住田 尚江
東工大院理工
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渡邉 克之
物・材機構
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間野 高明
東工大院理工
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小口 信行
東工大院理工
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塚本 史郎
金属材料技術研究所
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間野 高明
金属材料技術研究所
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渡邉 克之
金属材料技術研究所
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今中 康貴
金属材料技術研究所
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藤岡 洋
東京大学生産技術研究所:科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業(jst-crest)
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藤岡 洋
東京大学大学院
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五十嵐 悠一
東京大学理学系研究科
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渡邉 克之
東京大学生産技術研究所
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山本 倫久
東京大学工学系研究科
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大岩 顕
東京大学工学系研究科
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樽茶 清悟
東京大学工学系研究科
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大岩 顕
東大工:icorp-jst:jst-crest
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Yamamoto Michihisa
Department Of Applied Physics The University Of Tokyo
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宮澤 俊之
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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横山 直樹
株式会社富士通研究所
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中岡 俊裕
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:上智大学理工学部機能創造理工学科
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Sanguinetti S.
ミラノ大
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渡邊 克之
物・材機構
著作論文
- 26pWH-6 1.3μm帯光伝導測定によるg因子の見積もり(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 20aYK-12 自己形成量子ドットを用いた単電子トランジスタ構造における光電流,発光の制御(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 格子整合系GaAs/AlGaAs量子ドットの液滴エピタキシーによる作製と光学特性評価
- 19pRG-5 GaAs単一量子ドットの発光スペクトル
- 18aPS-28 GaAs量子ドットにおけるサブレベル間緩和過程
- InGaAs量子ドットのSPEED法による作製とその光学特性
- 24aTH-3 2次元チャネルによるInAs自己形成ドットのコンダクタンススペクトロスコピー(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ (光エレクトロニクス)
- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ (電子部品・材料)
- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ (機構デバイス)
- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 通信波長帯量子ドットを用いた励起子状態のコヒーレント制御 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 通信波長帯量子ドットを用いた励起子状態のコヒーレント制御(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- 24pYE-3 単一GaAs量子ドット発光における多励起子緩和過程(24pYE 新物質・高密度励起現象,領域5(光物性分野))