近紫外LEDの開発(窒化物及び混晶半導体デバイス)

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概要

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MOCVD法によりサファイア基板上に低温バッファ層を用いた近紫外LEDの作製を行った。フリップチップ型に実装し、エポキシ樹脂によりモールドした砲弾型のLEDランプにおいて20mA導通時に波長409nm、出力21.3mW、外部量子効率35%が得られた。一方、低温バッファ法に代わる新規成長技術として初期成長核形成(Seeding Process;SP)法を検討した。SP法により作製したGaN層のX線ロッキングカーブの半値幅は低温バッファ法を用いたGaNと同等の値であり、結晶性は良好であった。 SP法GaN上にLEDを作製した結果、波長409nm、出力20.4mW、外部量子効率34%と低温バッファ層上LEDと遜色なく、低温バッファを用いなくとも高効率LEDが得られた。
社団法人電子情報通信学会の論文
2003-09-25

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