近紫外LEDの開発
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2003-09-25
著者
-
酒井 浩光
昭和電工株式会社 研究開発センター
-
安田 剛規
昭和電工株式会社研究開発センター
-
友澤 秀喜
昭和電工株式会社研究開発センター
-
奥山 峰夫
昭和電工株式会社研究開発センター
-
安田 剛規
昭和電工株式会社 研究開発センター
-
奥山 峰夫
昭和電工株式会社 研究開発センター
-
友澤 秀喜
昭和電工株式会社 研究開発センター
関連論文
- 近紫外LEDの開発(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 近紫外LEDの開発(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 近紫外LEDの開発(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 近紫外LEDの開発
- S-5. 紫外LEDの発光特性
- p型GaNの低温活性化とそのメカニズム(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- p型GaNの低温活性化とそのメカニズム(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)