中村 芳明 | 大阪大学大学院基礎工学研究科
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
中村 芳明
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
中村 芳明
東大工
-
市川 昌和
東大工
-
市川 昌和
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
-
趙 星彪
名大エコ研
-
田中 信夫
名大エコトピア研
-
田中 信夫
国立大学法人東京工業大学男女共同参画推進センター
-
酒井 朗
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
中村 芳明
CREST-JST
-
市川 昌和
CREST-JST
-
竹内 正太郎
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
藤ノ木 紀仁
東大工
-
趙 星彪
名大エコトピア研
-
吉川 純
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
淺田 遼太
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
Son Pham
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
Vasant Kokate
大阪大学基礎工学部
-
野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
-
長谷川 修司
東大理
-
山崎 順
名大エコトピア研
-
中山 泰生
千葉大先進
-
田中 信夫
名古屋大学
-
福田 憲二郎
名大院工
-
中山 泰生
千葉大学先進科学センター
-
松田 巌
東大理
-
奥西 栄治
日本電子(株)
-
趙 星彪
CREST-JST
-
田中 信夫
CREST-JST
-
正田 明子
東大工
-
趙 星彪
CIRSE-JST
-
中村 芳明
CIRSE-JST
-
田中 信夫
CIRSE-JST
-
市川 昌和
CIRSE-JST
-
Konchenko Alexander
JST
-
中村 芳明
JST
-
中山 泰生
JST
-
市川 昌和
JST
-
彌田 智一
東京工業大学資源化学研究所
-
渡邉 亮子
(独)理化学研究所基幹研究所田中メタマテリアル研究室
-
奥西 栄治
日本電子:jst-crest
-
市川 昌和
Crest-jst:東大工
-
彌田 智一
東工大資源研
-
村山 昭之
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
-
渡邉 亮子
東京工業大学資源化学研究所集積分子工学部門
-
奥西 栄治
日本電子
-
松井 秀紀
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
石部 貴史
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
中村 芳明
大阪大学大学院基礎工学研究科:さきがけ-JST
-
彌田 智一
東京工業大学ERATO彌田プロジェクト
著作論文
- 21aXB-11 Siキャップ層の発光特性に及ぼすGe_Sn_xナノドットの構造・組成変化の効果(21aXB 表面界面ダイナミクス,表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pPSA-45 極薄Si酸化膜上にエピタシャル成長したFe_3Siナノドットの構造評価(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23aTD-4 Si基板上に形成したGeSn量子ドットの電子状態と発光特性のドットサイズ依存性(表面ナノ構造量子物性,微粒子クラスタ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25aYH-3 HRTEMおよびHAADF-STEMによるβ-FeSi_2ナノドットの微細構造評価(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-71 極薄Si酸化膜上に成長したFe-Siナノドットの構造評価(II)(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aYE-2 酸化Si表面上Geナノドットの量子サイズ効果の直接観測(表面ナノ構造量子物性,ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 15aPS-4 極薄 Si 酸化膜上に成長した Fe-Si ナノドットの構造評価(領域 9)
- 極薄Si酸化膜を用いたエピタキシャル量子ドット二次元ナノ配列構造の自己組織化と自己修復
- 貼り合わせ直接接合SrTiO_3(001)基板の抵抗スイッチング特性評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Si基板上への鉄酸化物ナノドットのエピタキシャル成長とその電子状態測定(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 貼り合わせ直接接合SrTiO_3(001)基板の抵抗スイッチング特性評価