21aXB-11 Siキャップ層の発光特性に及ぼすGe_<1-x>Sn_xナノドットの構造・組成変化の効果(21aXB 表面界面ダイナミクス,表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2008-08-25

著者

• 中村 芳明

  東大工

• 藤ノ木 紀仁

  東大工

• 市川 昌和

  東大工

• 市川 昌和

  東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻

• 中村 芳明

  大阪大学大学院基礎工学研究科

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