Si基板上への鉄酸化物ナノドットのエピタキシャル成長とその電子状態測定(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

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概要

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• Si基板上鉄酸化物薄膜は、安価で環境低負荷な抵抗変化型メモリ(ReRAM)材料として期待されている。しかし、ON/OFF抵抗比が小さいという問題があるため、良質な薄膜を作製し、漏れ電流を抑制することが必要である。我々は、結晶欠陥が少ないと期待できるエピタキシャル鉄酸化物ナノドットに注目した。本研究では、極薄Si酸化膜を用いることで、鉄酸化物ナノドットをSi基板上へエピタキシャル成長する技術を開発し、その電子状態測定を行った。

• 2013-06-11

著者

• 酒井 朗

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 中村 芳明

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 竹内 正太郎

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 松井 秀紀

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 石部 貴史

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 中村 芳明

  大阪大学大学院基礎工学研究科:さきがけ-JST

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